日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

K2126-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2126-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2126-VB 產(chǎn)品簡介

K2126-VB 是一款高耐壓單N溝道MOSFET,封裝形式為TO220F,專為高電壓和中等功率應(yīng)用而設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)可達650V,使其適合在高壓環(huán)境下運行。該MOSFET具有7A的最大漏極電流(ID),在各種電源管理和開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)良好。K2126-VB 的門限電壓為3.5V,柵源電壓范圍為±30V,能夠滿足廣泛的驅(qū)動需求。采用Plannar技術(shù),該MOSFET的導通電阻(RDS(ON))為1100mΩ @ VGS=10V,盡管相對較高,但在高電壓應(yīng)用中仍具備一定的優(yōu)勢。

### 二、K2126-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **門限電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)類型**: Plannar
- **最大耗散功率**: 50W (典型值)
- **工作溫度范圍**: -55°C ~ 150°C
- **輸入電容 (Ciss)**: 1000pF (典型值)
- **輸出電容 (Coss)**: 200pF (典型值)
- **反向恢復時間 (trr)**: 150ns (典型值)

### 三、K2126-VB 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**  
  K2126-VB 由于其650V的高耐壓特性,非常適合用于開關(guān)電源(SMPS)和其他電源轉(zhuǎn)換器。它能夠有效地處理高電壓,滿足電源管理的需求,提供穩(wěn)定的電源輸出,確保設(shè)備的高效能和可靠性。

2. **電動機控制**  
  該MOSFET 也適合用于電動機驅(qū)動應(yīng)用,尤其是在高壓電動機控制系統(tǒng)中。其7A的漏極電流能力和高耐壓特性,使其能夠處理電動機的啟動和運行過程中的高電流負載,確保平穩(wěn)操作。

3. **高壓照明系統(tǒng)**  
  K2126-VB 在高壓照明系統(tǒng)中的應(yīng)用同樣廣泛,尤其是在高壓鈉燈和LED照明驅(qū)動電路中。其出色的導通性能和高電壓處理能力使其能夠在這些應(yīng)用中提供穩(wěn)定的性能和高效率。

4. **工業(yè)設(shè)備與電力電子**  
  此外,該MOSFET 還適用于各種工業(yè)設(shè)備和電力電子模塊,如逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。其高耐壓和良好的熱管理特性,使其能夠在高負載應(yīng)用中穩(wěn)定運行,確保設(shè)備的安全和可靠性。

K2126-VB 的卓越性能和廣泛應(yīng)用使其成為高電壓和中等功率應(yīng)用中的關(guān)鍵組件,滿足現(xiàn)代電源設(shè)計的各種需求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    738瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標到性能飛
    613瀏覽量
德阳市| 乡城县| 霍州市| 安阳市| 安吉县| 都兰县| 石门县| 孝义市| 郯城县| 社会| 安义县| 奇台县| 眉山市| 万荣县| 台南市| 开封县| 额济纳旗| 湄潭县| 同德县| 东宁县| 凤山县| 淄博市| 潜江市| 罗山县| 天长市| 忻城县| 梨树县| 云霄县| 子长县| 乌兰察布市| 洞口县| 白玉县| 滦平县| 隆德县| 忻城县| 旅游| 文昌市| 海门市| 石阡县| 磴口县| 河池市|