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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K2188-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K2188-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、K2188-VB MOSFET 產品簡介
K2188-VB 是一款高性能 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高壓電源管理和開關應用設計。該器件的最大漏源極電壓(VDS)為650V,能夠在高電壓環(huán)境下保持卓越的穩(wěn)定性和可靠性。K2188-VB 的柵源極電壓(VGS)范圍為±30V,使其能夠適應多種工作條件。其開啟電壓(Vth)為3.5V,確保在較低的柵極電壓下即可導通。此外,在 VGS 為10V 時,導通電阻(RDS(ON))僅為830mΩ,這意味著在操作過程中具有良好的電流傳導能力。該 MOSFET 最大漏極電流(ID)為10A,適合各種高功率應用,能夠有效提升設備的能效和性能。

### 二、K2188-VB MOSFET 詳細參數說明
- **封裝形式**:TO220F
- **配置**:單通道 N 型 MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**:650V
- **柵源極電壓(VGS)**:±30V
- **開啟電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS = 10V 時:830mΩ
- **漏極電流(ID)**:10A
- **技術**:Plannar
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **最大功耗**:可達 30W(典型)
- **輸入電容(Ciss)**:約1100pF(典型)
- **封裝引腳**:
 - 引腳1:源極(Source)
 - 引腳2:漏極(Drain)
 - 引腳3:柵極(Gate)

### 三、K2188-VB 應用領域與模塊示例
1. **高壓電源管理**:K2188-VB 非常適合用于高壓電源管理系統(tǒng),例如不間斷電源(UPS)和電力轉換器。這些應用需要高壓組件能夠穩(wěn)定工作,以確保電源的可靠性和安全性。

2. **電機控制**:在工業(yè)電機驅動中,K2188-VB 可以作為開關元件用于高功率電機控制,適用于空調、泵和風扇等設備,確保電機的有效運行和節(jié)能。

3. **LED驅動器**:在大功率LED照明系統(tǒng)中,K2188-VB 可用于驅動LED燈條或高亮度燈泡,通過穩(wěn)定的電流控制實現高效能和長壽命的照明解決方案。

4. **電動汽車充電裝置**:K2188-VB 適用于電動汽車充電設備,能夠處理高電壓和大電流,從而保證電池充電過程的安全和高效,適合家庭和公共充電站的應用。

綜上所述,K2188-VB 的高壓和高功率特性使其成為多個領域和模塊中的理想選擇,滿足現代電力電子設備對性能和可靠性的需求。

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