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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K2299N-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K2299N-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**一、產(chǎn)品簡介:**

K2299N-VB 是一款高性能的 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝設(shè)計,專為高電壓應用而研發(fā)。該器件的漏源電壓 (VDS) 高達 650V,柵源電壓 (VGS) 可承受 ±30V,確保其在復雜電源環(huán)境中的可靠性。開啟電壓 (Vth) 為 3.5V,使得該 MOSFET 在適度的驅(qū)動電壓下能夠?qū)崿F(xiàn)有效開關(guān)。K2299N-VB 的導通電阻 (RDS(ON)) 為 830mΩ@VGS=10V,支持最大連續(xù)漏極電流 (ID) 為 10A。它采用 Plannar 技術(shù),具有優(yōu)異的熱性能和較低的導通損耗,適合高頻和高效率的電源管理應用。

**二、詳細參數(shù)說明:**

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)類型**: Plannar
- **工作溫度范圍**: -55°C ~ 150°C
- **最大功耗**: 60W(在適當?shù)纳釛l件下)

**三、適用領(lǐng)域和模塊舉例:**

1. **電源轉(zhuǎn)換器**: K2299N-VB 在開關(guān)電源和電源適配器中表現(xiàn)出色,能夠高效處理高達 650V 的電源轉(zhuǎn)換,降低能量損耗,提高整體電源系統(tǒng)的效率,廣泛應用于計算機電源和工業(yè)電源。

2. **高壓電機驅(qū)動**: 此 MOSFET 適用于高壓電動機控制應用,能夠在最大 10A 的漏極電流下工作,確保電動機的高效啟動和穩(wěn)定運行,常用于家用電器和工業(yè)自動化設(shè)備。

3. **照明控制系統(tǒng)**: K2299N-VB 可以作為 LED 驅(qū)動電路中的關(guān)鍵開關(guān)元件,用于高壓 LED 照明控制,確保穩(wěn)定的光輸出和較低的功耗,廣泛應用于建筑照明和街道照明。

4. **逆變器和 UPS 系統(tǒng)**: 在逆變器和不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)中,K2299N-VB 可作為主要開關(guān)元件,支持高壓 DC-AC 轉(zhuǎn)換,適合于可再生能源系統(tǒng)和電源備份解決方案。

綜上所述,K2299N-VB 的卓越性能和廣泛應用使其成為高效電源管理和控制系統(tǒng)中的理想選擇。

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