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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K2625ALS-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2625ALS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2625ALS-VB產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K2625ALS-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專(zhuān)為高壓應(yīng)用設(shè)計(jì),具有650V的最大漏源電壓(VDS)。該MOSFET的柵閾值電壓(Vth)為3.5V,適合在較低的驅(qū)動(dòng)電壓下啟動(dòng),具備良好的開(kāi)關(guān)特性。其最大漏極電流(ID)為7A,確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。K2625ALS-VB采用Plannar技術(shù),具有相對(duì)較高的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為1100mΩ@VGS=10V,盡管在650V的高電壓應(yīng)用中,其性能依然可靠,適合多種電力轉(zhuǎn)換和控制的需求。

### 二、K2625ALS-VB詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**: TO220F  
- **溝道配置**: 單N溝道  
- **最大漏源電壓(VDS)**: 650V  
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V  
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流(ID)**: 7A  
- **技術(shù)**: Plannar  

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例

1. **開(kāi)關(guān)電源(SMPS)**  
  K2625ALS-VB廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS),特別是在需要高電壓的DC-DC轉(zhuǎn)換器中。其高耐壓和穩(wěn)定的導(dǎo)通性能使其能夠高效控制電流流動(dòng),減少能量損失,提高整體電源效率。

2. **電機(jī)控制**  
  在電機(jī)控制系統(tǒng)中,K2625ALS-VB可以作為功率開(kāi)關(guān),用于電機(jī)的啟停和調(diào)速。其650V的最大電壓承載能力確保在工業(yè)環(huán)境中可靠運(yùn)行,適合用于各種電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

3. **太陽(yáng)能逆變器**  
  K2625ALS-VB也適用于太陽(yáng)能逆變器,在將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的過(guò)程中提供可靠的開(kāi)關(guān)控制。高耐壓特性使其能夠處理從太陽(yáng)能電池板產(chǎn)生的高電壓,確保高效能量轉(zhuǎn)換。

4. **高壓電源模塊**  
  在高壓電源模塊中,K2625ALS-VB能夠高效管理高電壓的電力流動(dòng)。其導(dǎo)通電阻相對(duì)較低,使其在高壓應(yīng)用中能夠減少熱損耗,提高系統(tǒng)的整體效率。

通過(guò)以上應(yīng)用示例,K2625ALS-VB在高壓電源管理和電力轉(zhuǎn)換領(lǐng)域中,憑借其高耐壓、可靠的導(dǎo)通能力,成為重要的電力電子元器件。

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