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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K2625LS-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K2625LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K2625LS-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
K2625LS-VB 是一款高電壓?jiǎn)瓮ǖ?N 型 MOSFET,采用 TO220F 封裝設(shè)計(jì),具有良好的熱性能和電氣特性。該器件能夠承受高達(dá) 650V 的漏源極電壓(VDS),適用于多種高壓電源和工業(yè)應(yīng)用。其柵源極電壓(VGS)為 ±30V,開啟電壓(Vth)為 3.5V,確??焖匍_關(guān)操作。在 VGS 為 10V 時(shí),K2625LS-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 1100mΩ,最大漏極電流(ID)為 7A。此 MOSFET 采用平面工藝(Plannar)技術(shù),確保了其高效能和可靠性,是高溫和高電流環(huán)境中的理想選擇。

### 二、K2625LS-VB MOSFET 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝形式**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)瓮ǖ?N 型 MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**:650V
- **柵源極電壓(VGS)**:±30V
- **開啟電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - VGS = 10V 時(shí):1100mΩ
- **最大漏極電流(ID)**:7A
- **技術(shù)**:平面技術(shù)(Plannar)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **輸入電容(Ciss)**:約 1200pF(典型值)
- **最大功耗**:約 2.5W(典型值)
- **封裝引腳**:
 - 引腳1:源極(Source)
 - 引腳2:漏極(Drain)
 - 引腳3:柵極(Gate)

### 三、K2625LS-VB 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:K2625LS-VB 在高壓電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)優(yōu)異,特別是在 AC-DC 轉(zhuǎn)換器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換模塊中。其高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻能夠有效提升電源的轉(zhuǎn)換效率,降低能量損耗,并確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器**:該 MOSFET 在電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用中也非常適合,尤其是在無刷直流電機(jī)(BLDC)和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中。憑借其高漏極電流處理能力,K2625LS-VB 可確保電動(dòng)機(jī)在各種負(fù)載條件下平穩(wěn)運(yùn)行。

3. **焊接與電源管理設(shè)備**:K2625LS-VB 常用于焊接設(shè)備,如點(diǎn)焊機(jī)和電弧焊機(jī)。這款 MOSFET 的高電流承載能力和良好的熱性能使其能夠在高功率應(yīng)用中可靠工作,確保焊接過程的高質(zhì)量與一致性。

4. **工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)**:在工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中,K2625LS-VB 可用作開關(guān)控制元件。這使其在機(jī)器人、自動(dòng)化裝配線和其他控制系統(tǒng)中起到關(guān)鍵作用,能夠快速響應(yīng)控制信號(hào),保證設(shè)備的高效性和可靠性。

綜上所述,K2625LS-VB 是一款高效、可靠的 N 型 MOSFET,適合用于多種高壓和高功率應(yīng)用,能夠滿足嚴(yán)苛工作環(huán)境的要求。

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