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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K2726-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K2726-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:K2726-VB MOSFET

K2726-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝,設(shè)計(jì)用于承受高達(dá)650V的漏源電壓(VDS)。該器件具備12A的最大漏極電流(ID),開啟閾值電壓(Vth)為3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在10V的柵極驅(qū)動電壓下為680mΩ?;谄矫婀に嚰夹g(shù)制造,K2726-VB MOSFET 適用于各種高壓電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,能夠在高效開關(guān)操作中提供優(yōu)異的性能與穩(wěn)定性。

### 參數(shù)說明:

- **封裝**: TO220F  
- **溝道配置**: 單N溝道  
- **漏源電壓(VDS)**: 650V  
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V  
- **開啟閾值電壓(Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 680mΩ@VGS=10V  
- **漏極電流(ID)**: 12A  
- **技術(shù)**: 平面工藝  
- **最大耗散功率**: 通常為125W(具體取決于散熱條件)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:

1. **電源管理和轉(zhuǎn)換器**:  
  K2726-VB 的高耐壓和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于高壓電源管理和轉(zhuǎn)換器中。它能夠在太陽能逆變器、開關(guān)電源和電力適配器中實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換,提供穩(wěn)定的電源輸出。

2. **工業(yè)自動化**:  
  在工業(yè)自動化設(shè)備中,該MOSFET可用于驅(qū)動電動機(jī)和執(zhí)行器的控制電路。其高電流能力能夠滿足工業(yè)設(shè)備在高負(fù)載下的性能需求,從而保證設(shè)備的正常運(yùn)行和高效工作。

3. **高壓LED驅(qū)動**:  
  K2726-VB 適用于高壓LED照明驅(qū)動電路。由于其高電壓耐受能力和高效能,該MOSFET可以有效控制高功率LED模塊的電源,確保光源的穩(wěn)定性和光效。

4. **逆變器和電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)**:  
  該器件在逆變器和其他電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,特別是在電動汽車和可再生能源應(yīng)用中。K2726-VB MOSFET 可以幫助實(shí)現(xiàn)高效的電流控制和能量管理,從而提高整體系統(tǒng)的效率和性能。

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