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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K3049-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3049-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介(K3049-VB)
K3049-VB是一款高電壓N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓和中等功率應(yīng)用設(shè)計。該器件的漏源電壓(VDS)高達650V,柵源電壓(VGS)范圍為±30V,適合在嚴苛的電氣環(huán)境中工作。K3049-VB采用了平面(Plannar)技術(shù),具有較高的可靠性和良好的導電性能。在10V的柵電壓下,其導通電阻(RDS(ON))為830mΩ,能夠有效降低能量損耗并提升系統(tǒng)的效率。最大漏極電流可達到10A,廣泛應(yīng)用于各種高壓電子設(shè)備和系統(tǒng)中。

### 詳細參數(shù)說明(K3049-VB)
- **封裝類型**:TO220F
- **通道配置**:單一N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:830mΩ@VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:10A
- **技術(shù)類型**:平面(Plannar)
- **最大功率耗散**:根據(jù)TO220F封裝設(shè)計,具備優(yōu)良的散熱性能,適合高功率應(yīng)用。

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**:
  K3049-VB廣泛應(yīng)用于高壓電源轉(zhuǎn)換器中,作為開關(guān)元件,其高漏源電壓特性使其能夠在AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器中高效工作,從而實現(xiàn)能量的高效轉(zhuǎn)換,降低損耗。

2. **工業(yè)控制系統(tǒng)**:
  在工業(yè)控制領(lǐng)域,K3049-VB可用于高壓電動機驅(qū)動和控制電路,具備處理高電流和高電壓的能力,非常適合用于各種自動化設(shè)備和機械系統(tǒng)中,確保其穩(wěn)定運行。

3. **太陽能逆變器**:
  K3049-VB在太陽能逆變器中作為功率開關(guān)元件,能夠承受高電壓和電流,確保太陽能系統(tǒng)的高效能和穩(wěn)定性,有助于提升可再生能源系統(tǒng)的整體性能。

4. **家用電器**:
  在家用電器中,K3049-VB可以應(yīng)用于高壓電源管理電路,例如洗衣機、空調(diào)等設(shè)備,提供可靠的電源控制,提升設(shè)備的能效和安全性。其高電壓耐受能力使其適合在復雜的家電應(yīng)用中發(fā)揮重要作用。

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