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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K3126-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3126-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介(K3126-VB)
K3126-VB是一款高性能N溝道功率MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓和高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為650V,能夠滿足多種工業(yè)和消費(fèi)電子設(shè)備的需求。K3126-VB具有優(yōu)異的柵源電壓特性,最大柵源電壓(VGS)為±30V,其閾值電壓(Vth)為3.5V,適合低電壓驅(qū)動應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為680mΩ@VGS=10V,能夠在高電流條件下有效降低功耗,最大漏極電流(ID)達(dá)到12A,為各種應(yīng)用提供了可靠的性能。

### 詳細(xì)參數(shù)說明(K3126-VB)
- **封裝類型**:TO220F
- **通道配置**:單一N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:680mΩ@VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:12A
- **技術(shù)類型**:Plannar
- **最大功率耗散**:TO220F封裝設(shè)計(jì)確保良好的散熱能力,適應(yīng)高功率應(yīng)用。

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
1. **開關(guān)電源**:
  K3126-VB在開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計(jì)中非常理想,能夠處理650V的高電壓,使其適用于各種工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器。其低導(dǎo)通電阻和較高的漏極電流能力可實(shí)現(xiàn)高效能的電能轉(zhuǎn)換,降低功耗,提高整體系統(tǒng)效率。

2. **電機(jī)控制**:
  該MOSFET可用于電機(jī)驅(qū)動和控制系統(tǒng),特別是在高電壓電機(jī)應(yīng)用中,如電動工具和電動車輛。其高電流處理能力(12A)確保在負(fù)載波動時(shí)依然保持穩(wěn)定性能,提供平滑的控制。

3. **家用電器**:
  在家用電器中,K3126-VB能夠有效用于溫控和電源管理模塊。由于其較高的工作電壓和電流能力,它適合應(yīng)用于高效的加熱器、冰箱和洗衣機(jī)等設(shè)備的電源管理系統(tǒng)。

4. **光伏逆變器**:
  在太陽能光伏逆變器應(yīng)用中,K3126-VB可用于將太陽能轉(zhuǎn)換為可用電力,其高電壓耐受性(650V)使其能夠在太陽能發(fā)電系統(tǒng)中高效運(yùn)行,保障電能的穩(wěn)定輸出和高效傳輸,支持可再生能源的發(fā)展。

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