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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K3199-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K3199-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K3199-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介

K3199-VB 是一款高壓單 N 溝道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高壓和中等電流的開關應用設計。其最大漏極-源極電壓 (VDS) 高達 650V,能夠處理 7A 的漏極電流 (ID),并具有 1100mΩ 的導通電阻 (RDS(ON)) 在 10V 柵極電壓下。該 MOSFET 采用平面結(jié)構(gòu)設計,適用于高壓電源管理、功率轉(zhuǎn)換和工業(yè)應用,具有較高的可靠性和耐用性,尤其適合在高壓條件下長時間穩(wěn)定工作。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO220F
- **配置**:單 N 溝道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**:650V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS)**:±30V
- **開啟電壓 (Vth)**:3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:7A
- **技術(shù)**:平面型(Plannar)
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 150°C
- **熱阻 (RθJC)**:優(yōu)化設計以確保器件在高功率應用中的散熱能力。

### 應用領域與模塊

1. **高壓開關電源**:
  K3199-VB 非常適合用于**高壓開關電源**,尤其是在需要處理650V電壓的場合。其平面設計能夠提供高效的電能轉(zhuǎn)換,適合如工業(yè)電源、服務器電源等需要高電壓輸出的場合。

2. **功率轉(zhuǎn)換器**:
  此 MOSFET 適用于**功率轉(zhuǎn)換器**,如高壓直流到直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器及交流到直流 (AC-DC) 轉(zhuǎn)換器。其650V的耐壓能力使其能夠應用于智能電網(wǎng)設備和高壓逆變器中,尤其是需要穩(wěn)定運行的環(huán)境。

3. **照明系統(tǒng)**:
  K3199-VB 適用于**高壓 LED 照明驅(qū)動器**,其高壓承受能力能夠確保在 LED 照明系統(tǒng)中高效穩(wěn)定地運行,特別是在需要較長工作時間和較高功率的照明場景中表現(xiàn)出色。

4. **工業(yè)控制**:
  此器件還廣泛應用于**工業(yè)控制系統(tǒng)**中,如高壓電動機驅(qū)動、工業(yè)自動化設備和電力控制系統(tǒng),能夠在高電壓下穩(wěn)定驅(qū)動工業(yè)設備,同時具備良好的功耗和熱管理性能。

K3199-VB MOSFET 以其高電壓承受能力和平面型設計,能夠在多種高壓應用場景中提供可靠的性能,特別適合于高壓電源、功率轉(zhuǎn)換及工業(yè)控制設備的電源管理與控制。

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