### 產(chǎn)品簡介
K3667-VB是一款高電壓單N通道MOSFET，采用TO220F封裝，專為高壓應用設計。其650V的漏極-源極電壓和相對較高的導通電阻使其適合在高電壓環(huán)境中工作，廣泛應用于電力轉(zhuǎn)換和控制電路。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**: K3667-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N通道
- **漏極-源極電壓（VDS）**: 650V
- **柵極-源極電壓（VGS）**: ±30V
- **閾值電壓（Vth）**: 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON)）**: 1100mΩ@VGS=10V
- **連續(xù)漏電流（ID）**: 7A
- **技術(shù)**: Plannar
### 應用領(lǐng)域
K3667-VB適用于高壓開關(guān)電源、逆變器和電動機驅(qū)動等領(lǐng)域。其高電壓耐受能力使其非常適合用于工業(yè)設備和電力電子系統(tǒng)。此外，該產(chǎn)品在電池充電器和高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器中也表現(xiàn)出色，為用戶提供可靠的電流控制和高效能的能量管理解決方案。
