日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

K3888-01MR-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K3888-01MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K3888-01MR-VB 產(chǎn)品簡介
K3888-01MR-VB 是一款基于平面技術(shù)(Plannar)設(shè)計的單 N 溝道功率 MOSFET,封裝為 TO220F,適合高電壓和高電流應(yīng)用。其最大漏源電壓為 650V,柵源電壓范圍為 ±30V,閾值電壓為 3.5V,導(dǎo)通電阻為 830mΩ(在 VGS = 10V 下),能夠承載高達(dá) 10A 的漏極電流。這款 MOSFET 的設(shè)計旨在提高效率,減少能耗,廣泛應(yīng)用于電源管理和開關(guān)控制領(lǐng)域。

### 二、K3888-01MR-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**: TO220F
- **通道配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)**: 平面技術(shù)(Plannar)

### 三、適用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **開關(guān)電源**
  K3888-01MR-VB 在開關(guān)電源(SMPS)中被廣泛使用,能夠處理高電壓和電流的電源轉(zhuǎn)換過程。其低導(dǎo)通電阻特性有助于減少功率損耗,提高效率,適用于各種 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

2. **電機控制**
  該 MOSFET 非常適合用于電機驅(qū)動和控制系統(tǒng),例如直流電機和步進(jìn)電機的驅(qū)動器。其高電流承載能力確保電機在高負(fù)載情況下的平穩(wěn)運行,提供穩(wěn)定的驅(qū)動性能。

3. **電氣保護(hù)電路**
  K3888-01MR-VB 可用作電氣保護(hù)電路中的開關(guān)元件,能夠在過壓和過流情況下提供有效保護(hù)。高電壓耐受能力使其能夠可靠地工作在高電壓環(huán)境中,保護(hù)其他電氣組件不受損壞。

4. **家電產(chǎn)品**
  在家電產(chǎn)品中,K3888-01MR-VB 可用于電源模塊和負(fù)載開關(guān),提供高效的電源控制。在如洗衣機、空調(diào)等設(shè)備中,它能夠幫助實現(xiàn)智能控制和節(jié)能。

通過這些應(yīng)用示例,K3888-01MR-VB 的高電壓和高電流特性使其在電源管理、工業(yè)控制和消費電子等多個領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    727瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    604瀏覽量
漾濞| 五原县| 土默特左旗| 恩施市| 甘谷县| 五指山市| 繁昌县| 桐庐县| 建水县| 德州市| 乌拉特后旗| 托克逊县| 金寨县| 乐至县| 吉木萨尔县| 宁安市| 札达县| 台东市| 栾城县| 石家庄市| 颍上县| 临朐县| 佛坪县| 桐梓县| 营山县| 宁南县| 贵定县| 东海县| 永靖县| 昔阳县| 鸡西市| 禄劝| 甘肃省| 新宁县| 新邵县| 新竹市| 临朐县| 江安县| 肃南| 门头沟区| 安乡县|