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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K3917-01MR-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K3917-01MR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介 (K3917-01MR-VB)

K3917-01MR-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單一 N 溝道 MOSFET,專為高電壓應用設計。該器件的漏源電壓 (VDS) 可高達 650V,適用于需要高電壓操作的應用場合。其柵源電壓 (VGS) 允許在 ±30V 范圍內(nèi)工作,而開啟電壓 (Vth) 為 3.5V,使得其能夠在多種驅(qū)動電路中實現(xiàn)有效控制。K3917-01MR-VB 的導通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS=10V 時為 1100mΩ,這使得其能夠承載高達 7A 的連續(xù)漏極電流 (ID)。采用平面技術(shù) (Plannar) 的設計,使得該 MOSFET 在開關(guān)性能和熱穩(wěn)定性方面表現(xiàn)優(yōu)異,非常適合高功率和高頻率的電力應用。

---

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220F  
- **配置**: 單一 N 溝道 MOSFET  
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V  
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V  
- **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 7A  
- **技術(shù)類型**: 平面 (Plannar) 技術(shù)  
- **開關(guān)速度**: 適合高頻應用,能夠快速響應  
- **最大功耗**: 優(yōu)良的散熱性能,適用于大功率負載  

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### 適用領(lǐng)域與模塊示例

1. **電源轉(zhuǎn)換器**: K3917-01MR-VB 適用于高壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,能夠在高電壓和大電流條件下穩(wěn)定工作,確保高效的能量轉(zhuǎn)換,廣泛應用于工業(yè)電源和電力電子設備。

2. **逆變器**: 該 MOSFET 非常適合用于光伏逆變器和風能逆變器,能夠處理高電壓輸入并高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,支持可再生能源系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。

3. **開關(guān)電源 (SMPS)**: 在開關(guān)電源模塊中,K3917-01MR-VB 可以作為高壓開關(guān)器件,支持高頻開關(guān)操作,適用于電信設備、服務器電源和消費電子產(chǎn)品,提升系統(tǒng)的效率和性能。

4. **電機驅(qū)動應用**: 該 MOSFET 適用于需要高電壓和高電流的電機驅(qū)動電路,能夠在電動汽車和工業(yè)自動化系統(tǒng)中提供高效能的驅(qū)動解決方案,確保電動機的穩(wěn)定運行。

5. **高壓照明系統(tǒng)**: 在高壓照明應用中,K3917-01MR-VB 可用作燈具的驅(qū)動器,確??焖匍_關(guān)和高功率輸出,提高照明設備的能效和安全性。

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