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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K3A60DAA4-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K3A60DAA4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K3A60DAA4-VB 產(chǎn)品簡介

K3A60DAA4-VB 是一款高壓單極 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝。該器件設計用于高電壓應用,其漏源電壓(VDS)高達 650V,適合在各種電源管理和開關(guān)應用中使用。該 MOSFET 的柵極源電壓(VGS)為 ±30V,具備較高的閾值電壓(Vth)為 3.5V,確保在不同工作條件下可靠開啟。其導通電阻(RDS(ON))為 2560mΩ @ VGS=10V,使其在功耗和熱量控制方面表現(xiàn)優(yōu)異。K3A60DAA4-VB 的 Plannar 技術(shù)使其在高頻開關(guān)和高溫環(huán)境中具有良好的性能。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: K3A60DAA4-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單極 N 通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Plannar

### 適用領域和模塊示例

1. **開關(guān)電源**:K3A60DAA4-VB 可用于高壓開關(guān)電源設計,尤其是在需要高電壓和高可靠性的電源轉(zhuǎn)換應用中。

2. **家電設備**:在電動機控制和家電電源管理中,該 MOSFET 可以有效地控制電機的啟動和運行,提供穩(wěn)定的工作性能。

3. **工業(yè)電源**:此器件適合用于工業(yè)電源系統(tǒng),能夠處理高電壓和大電流負載,確保系統(tǒng)的安全和效率。

4. **電焊機**:在電焊機等高功率應用中,K3A60DAA4-VB 能夠承受高電壓,確保設備在高負載條件下穩(wěn)定工作。

5. **太陽能逆變器**:該 MOSFET 適用于太陽能逆變器中,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和管理,提升系統(tǒng)的整體能效。

K3A60DAA4-VB 的設計確保其在高電壓應用中的可靠性和穩(wěn)定性,非常適合需要高功率處理和高效率的電氣設備。

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