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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K4086-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K4086-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K4086-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K4086-VB 是一款高壓 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,適用于需要高耐壓和中等電流能力的應(yīng)用。該器件漏極到源極電壓(VDS)為 650V,柵極到源極電壓(VGS)為 ±30V,具有 3.5V 的閾值電壓(Vth),在 VGS=10V 時(shí)的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 680mΩ,支持最大 12A 的電流。該器件采用平面(Plannar)技術(shù),具有優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和耐用性,適用于高效能電源系統(tǒng)、工業(yè)控制和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等高壓應(yīng)用場(chǎng)景。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: K4086-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單 N 通道
- **漏極到源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極到源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 680mΩ @ VGS=10V
- **額定電流 (ID)**: 12A
- **技術(shù)**: 平面技術(shù)(Plannar)

### 適用領(lǐng)域和模塊

K4086-VB MOSFET 因其高電壓和中等電流特性,非常適合用于多種需要高效開(kāi)關(guān)和耐用性的應(yīng)用場(chǎng)景:

1. **高效開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)**: K4086-VB 非常適合用于開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),特別是在高輸入電壓的電源設(shè)計(jì)中,其 650V 的高耐壓使其在電網(wǎng)供電系統(tǒng)和工業(yè)電源中表現(xiàn)優(yōu)異。平面技術(shù)可確保較低的導(dǎo)通損耗,提升電源轉(zhuǎn)換效率。

2. **電機(jī)控制**: 在需要高壓驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用中,K4086-VB 可作為開(kāi)關(guān)元件使用。其高電流能力和耐壓性能使其適合中小型電機(jī)的控制,如家電設(shè)備和工業(yè)控制中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。

3. **工業(yè)控制**: 該 MOSFET 適用于工業(yè)控制領(lǐng)域,如逆變器和功率調(diào)節(jié)器。在這些模塊中,K4086-VB 的高耐壓和高開(kāi)關(guān)速度可以提高整體效率并降低熱損耗,確保穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **電感負(fù)載驅(qū)動(dòng)**: 對(duì)于電感負(fù)載(如繼電器和電磁閥)的驅(qū)動(dòng),K4086-VB 的高電壓能力使其成為高可靠性的選擇。其較高的耐壓可確保在瞬態(tài)高壓條件下依然具有良好的開(kāi)關(guān)特性和保護(hù)功能。

5. **照明系統(tǒng)**: 在 LED 驅(qū)動(dòng)器和高壓照明系統(tǒng)中,K4086-VB 可有效管理系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)需求,提供高效的功率轉(zhuǎn)換。其平面設(shè)計(jì)和高壓性能在商業(yè)和工業(yè)照明應(yīng)用中尤為重要。

通過(guò)這些場(chǎng)景,K4086-VB 展現(xiàn)了其在高壓系統(tǒng)中的多功能性,是許多高效能和可靠性要求下的理想選擇。

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