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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K4096LS-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K4096LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K4096LS-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K4096LS-VB 是一款高壓N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,具有650V的漏源耐壓和12A的漏極電流能力。此器件基于Plannar工藝技術(shù),具備較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)=680mΩ @ VGS=10V),保證了出色的開關(guān)性能和較低的功耗。K4096LS-VB的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍達(dá)到±30V,Vth為3.5V,確保其在多種工作環(huán)境中都能實(shí)現(xiàn)高效的開關(guān)控制。該MOSFET非常適合用于高功率、高電壓的應(yīng)用領(lǐng)域。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220F
- **溝道配置**: 單一N溝道
- **最大漏源極電壓(VDS)**: 650V
- **最大柵源極電壓(VGS)**: ±30V
- **開啟電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 680mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**: 12A
- **技術(shù)類型**: Plannar技術(shù)
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **最大功耗(Pd)**: 50W
- **最大瞬態(tài)柵極電荷(Qg)**: 50nC
- **輸入電容(Ciss)**: 1350pF

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊舉例

1. **高壓電源管理**
  K4096LS-VB 的高耐壓特性使其非常適合用于**高壓電源管理**應(yīng)用。在開關(guān)電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器中,該MOSFET能夠處理高電壓和電流,保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率,廣泛應(yīng)用于工業(yè)電源、數(shù)據(jù)中心電源和LED驅(qū)動(dòng)電源。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**
  在**電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)**中,K4096LS-VB MOSFET 可以用于電動(dòng)機(jī)的啟動(dòng)、控制和調(diào)速。由于其能夠承受高電壓和大電流,特別適合于工業(yè)電機(jī)和高功率電動(dòng)機(jī)控制,能夠提供高效的功率轉(zhuǎn)換和控制。

3. **照明控制系統(tǒng)**
  該MOSFET適合用于**LED照明控制**,尤其是在需要高電壓和大電流的LED驅(qū)動(dòng)器中。K4096LS-VB 具備的低導(dǎo)通損耗特性可以提高LED照明的能效,適用于城市照明、商業(yè)照明和家庭照明等多種場(chǎng)合。

4. **逆變器**
  在**太陽能逆變器**和其他逆變器應(yīng)用中,K4096LS-VB 是一個(gè)理想的選擇。其高壓和大電流能力使其能夠有效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,支持可再生能源系統(tǒng)的高效能量轉(zhuǎn)換。

5. **電源轉(zhuǎn)換器**
  K4096LS-VB 還可以用于**電源轉(zhuǎn)換器**,如DC-AC和AC-DC轉(zhuǎn)換器等。其強(qiáng)大的高壓承載能力和低導(dǎo)通損耗,使其能夠在各種電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中發(fā)揮重要作用,確保高效的能量傳遞。

總之,K4096LS-VB MOSFET 憑借其優(yōu)異的高電壓承載能力和低導(dǎo)通損耗特性,適用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、照明控制、逆變器及電源轉(zhuǎn)換等多個(gè)高壓應(yīng)用領(lǐng)域。

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