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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K4100LS-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K4100LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**K4100LS-VB MOSFET產(chǎn)品簡介**

K4100LS-VB是一款高壓單通道N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,適用于各種電力電子應(yīng)用。它的最大漏源電壓為650V,最大柵源電壓為±30V,門檻電壓為3.5V。其導(dǎo)通電阻為1100mΩ@VGS=10V,漏極電流額定值為7A,采用平面工藝制造。這種MOSFET的設(shè)計適用于高壓電路中的功率開關(guān)和能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用,具有出色的開關(guān)性能和可靠性。

---

**K4100LS-VB詳細(xì)參數(shù)說明**

- **封裝類型**: TO220F  
- **配置**: 單N溝道  
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 650V  
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±30V  
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 7A  
- **技術(shù)工藝**: 平面(Plannar)  
- **最大功耗**: 根據(jù)散熱條件和封裝,可以承受較大的功耗。  
- **工作溫度范圍**: -55°C至+150°C  
- **柵極電荷 (Qg)**: 具體數(shù)值可根據(jù)應(yīng)用需求進(jìn)一步查看詳細(xì)的規(guī)格書。

---

**應(yīng)用領(lǐng)域及模塊**

1. **電源管理系統(tǒng)**:  
  K4100LS-VB MOSFET可用于高壓直流電源、AC-DC轉(zhuǎn)換器等電源管理模塊中,適合高效率功率轉(zhuǎn)換。它的650V高耐壓特性使其非常適合用于電力線路保護(hù)和隔離電路中。

2. **電機(jī)驅(qū)動**:  
  在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動模塊中,K4100LS-VB可以作為功率開關(guān)器件,驅(qū)動直流或交流電機(jī),尤其適合在需要高壓控制的場合,如電動機(jī)控制器中使用。

3. **不間斷電源 (UPS) 和逆變器**:  
  它適合在不間斷電源(UPS)和逆變器模塊中用作開關(guān)器件,確保高效的能量轉(zhuǎn)換及負(fù)載調(diào)節(jié),尤其是在高壓場景下,它能夠提供可靠的電力轉(zhuǎn)換。

4. **電動汽車充電站**:  
  由于K4100LS-VB的高耐壓特性和較低的導(dǎo)通電阻,它可以用于電動汽車充電樁和高壓電池管理系統(tǒng)中,以實現(xiàn)安全穩(wěn)定的電能傳輸和控制。

5. **照明設(shè)備驅(qū)動**:  
  它還可以用于高壓LED驅(qū)動電源中,控制大功率LED燈的亮度與電流,確保高效的能源使用及可靠的開關(guān)操作。

通過這些應(yīng)用,K4100LS-VB MOSFET展現(xiàn)出其在高壓電路中作為關(guān)鍵功率開關(guān)器件的卓越性能。

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