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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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K4112-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: K4112-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介:
K4112-VB 是一款采用 TO-220F 封裝的單一 N 溝道 MOSFET,專為高電壓應用而設(shè)計。該器件的漏源極電壓 (VDS) 高達 650V,柵源極電壓 (VGS) 的最大值為 ±30V。K4112-VB 的開啟電壓 (Vth) 為 3.5V,導通電阻 RDS(ON) 為 830mΩ @VGS=10V,最大漏極電流 (ID) 可達 10A。采用 Plannar 平面型技術(shù),使其在高電壓和高電流的條件下具有優(yōu)異的性能和穩(wěn)定性,廣泛應用于電源管理和開關(guān)電路。

### 詳細參數(shù)說明:
- **封裝類型**: TO-220F(具有良好的散熱性能和電氣隔離)
- **配置**: 單一 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)**: Plannar(平面型)技術(shù),確保高可靠性和穩(wěn)定性
- **熱管理**: TO-220F 封裝提供優(yōu)良的散熱特性,適合高功率應用

### 適用領(lǐng)域和模塊:
1. **高壓電源管理**:K4112-VB 在高壓開關(guān)電源模塊中被廣泛應用,尤其是在工業(yè)電源和大型服務器電源中,能夠處理650V的高電壓需求,提升能量轉(zhuǎn)換效率并確保系統(tǒng)穩(wěn)定。

2. **光伏逆變器**:該 MOSFET 是太陽能光伏逆變器中理想的開關(guān)元件,能夠在高電壓下進行高效的直流到交流轉(zhuǎn)換,保證了逆變器在高壓環(huán)境下的可靠性和性能。

3. **電機控制系統(tǒng)**:在電動機驅(qū)動和工業(yè)自動化設(shè)備中,K4112-VB 的高電流處理能力使其成為優(yōu)選的開關(guān)器件,適用于中高壓電機控制和驅(qū)動電路,確保高效的功率傳輸。

4. **高壓照明應用**:該器件也適用于高壓氙氣燈和 LED 照明驅(qū)動器,能夠有效控制電流和電壓,提供穩(wěn)定的照明解決方案。

5. **電動車充電樁**:K4112-VB 在電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施中應用廣泛,能夠處理高電壓和大電流,為電動汽車提供快速而安全的充電能力。

綜上所述,K4112-VB 憑借其650V的高耐壓、低導通電阻和卓越的熱性能,成為高壓電源和電力管理領(lǐng)域中不可或缺的關(guān)鍵元件,在多個應用場合均能發(fā)揮重要作用。

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