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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K4199-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K4199-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介 - K4199-VB

K4199-VB 是一款高壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用TO220F封裝,基于平面(Plannar)技術(shù)設(shè)計(jì)。該型號(hào)具有650V的漏源電壓(VDS)和4A的最大漏極電流(ID),專(zhuān)為高壓、低電流處理的應(yīng)用場(chǎng)景而設(shè)計(jì)。其導(dǎo)通電阻為2560mΩ(@ VGS=10V),主要用于需要高電壓耐受力和穩(wěn)健性能的電力轉(zhuǎn)換和電源管理場(chǎng)合,具有可靠的開(kāi)關(guān)特性和較低的功耗。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類(lèi)型**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **開(kāi)啟閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:平面(Plannar)

K4199-VB的高耐壓和較低的導(dǎo)通電流適用于要求高電壓和穩(wěn)健性能的應(yīng)用場(chǎng)景,如電源轉(zhuǎn)換器和電源控制系統(tǒng)。

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換器**  
  K4199-VB廣泛應(yīng)用于高壓電源轉(zhuǎn)換器,尤其適合處理高電壓的輸入信號(hào)并將其轉(zhuǎn)換為較低電壓輸出。其650V的耐壓特性能夠在高壓電力系統(tǒng)中提供穩(wěn)定的轉(zhuǎn)換性能。

2. **照明驅(qū)動(dòng)器**  
  在高壓照明驅(qū)動(dòng)器中,K4199-VB可以用于高效的電源管理。其可靠的高電壓開(kāi)關(guān)能力使其能夠在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中確保燈具的穩(wěn)定工作。

3. **工業(yè)設(shè)備**  
  在工業(yè)環(huán)境中,K4199-VB適用于高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)電源管理應(yīng)用。其高耐壓特性使其在這些要求穩(wěn)健性和高可靠性的場(chǎng)景中表現(xiàn)出色。

4. **電池管理系統(tǒng)**  
  在電動(dòng)汽車(chē)和儲(chǔ)能設(shè)備的電池管理系統(tǒng)中,K4199-VB MOSFET能夠有效處理電池組中的高壓部分,幫助控制功率流動(dòng),保證電池的充放電效率。

K4199-VB MOSFET適合應(yīng)用于高壓電源轉(zhuǎn)換器、照明驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)設(shè)備及電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域,能夠在高電壓條件下提供可靠的功率控制和電力管理。

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