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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K4200LS-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K4200LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:K4200LS-VB MOSFET

K4200LS-VB是一款高壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用TO220F封裝,適用于高壓應(yīng)用。其最大漏源電壓(VDS)為650V,導(dǎo)通電流(ID)為4A,適合需要高耐壓的應(yīng)用場(chǎng)景。該器件使用平面(Plannar)技術(shù),具備2560mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))@VGS=10V,確保在高電壓條件下具有較好的穩(wěn)定性和可靠性。K4200LS-VB適合在工業(yè)和消費(fèi)類電源管理系統(tǒng)中使用,提供穩(wěn)定的高壓功率處理能力。

### 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝類型**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 650V
- **柵源電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大導(dǎo)通電流(ID)**: 4A
- **技術(shù)**: 平面(Plannar)
- **功耗**: 能在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作
- **工作溫度范圍**: 支持嚴(yán)苛的工作環(huán)境,適用于工業(yè)應(yīng)用

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例:

1. **高壓開關(guān)電源(SMPS)**:K4200LS-VB非常適合用于高壓開關(guān)電源模塊(如工業(yè)控制電源、通信設(shè)備電源等),其650V的耐壓能力使其在高壓情況下能夠高效地進(jìn)行電力轉(zhuǎn)換。

2. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該MOSFET可作為開關(guān)元件,適合處理高電壓下的電源切換,確保驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

3. **電網(wǎng)設(shè)備中的功率開關(guān)**:K4200LS-VB也可以用于電網(wǎng)設(shè)備中的高壓功率開關(guān)模塊,如逆變器和穩(wěn)壓器等,通過平面技術(shù),保證長(zhǎng)時(shí)間的高壓運(yùn)行穩(wěn)定性。

4. **家用電器中的電源轉(zhuǎn)換**:在高功率家用電器(如空調(diào)、微波爐等)中,K4200LS-VB MOSFET可作為電源開關(guān)元件,幫助實(shí)現(xiàn)高效的電力傳輸和能耗管理。

5. **電池管理系統(tǒng)**:K4200LS-VB適用于需要高壓的電池管理系統(tǒng),能夠在電池充放電過程中提供穩(wěn)定的電壓控制,確保系統(tǒng)的安全性和可靠性。

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