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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K4A55DA-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K4A55DA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**K4A55DA-VB MOSFET 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**

K4A55DA-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單N溝道功率MOSFET,專為高電壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件的漏源極電壓 (VDS) 高達(dá) 650V,能夠滿足多種高壓環(huán)境下的工作需求。閾值電壓 (Vth) 為 3.5V,確保在合理的柵源電壓下能夠順利開(kāi)啟。盡管其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS=10V 時(shí)為 2560mΩ,但其在較低的漏極電流 (ID) 為 4A 的情況下,依然能提供穩(wěn)定的性能。K4A55DA-VB 采用傳統(tǒng)的平面技術(shù)(Plannar),廣泛應(yīng)用于電源管理、工業(yè)控制和汽車電子等領(lǐng)域,為電路提供可靠的開(kāi)關(guān)性能。

**K4A55DA-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明**

- **封裝類型**:TO220F
- **溝道類型**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2560mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:Plannar(平面技術(shù))

**K4A55DA-VB 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊**

1. **電源適配器**:由于其高壓能力和穩(wěn)定性,K4A55DA-VB 適合用于電源適配器和充電器中,確保在不同負(fù)載條件下穩(wěn)定輸出,廣泛應(yīng)用于各種消費(fèi)電子產(chǎn)品的充電模塊。

2. **LED 驅(qū)動(dòng)**:在 LED 驅(qū)動(dòng)電路中,K4A55DA-VB 可用于控制 LED 的開(kāi)關(guān),尤其是在大功率 LED 應(yīng)用中,提供可靠的電流管理,確保 LED 燈具的高效能和長(zhǎng)壽命。

3. **開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)**:在開(kāi)關(guān)電源中,該 MOSFET 能夠有效控制電源轉(zhuǎn)換過(guò)程,適用于計(jì)算機(jī)電源、通信電源等,確保電源的高效和穩(wěn)定輸出。

4. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:K4A55DA-VB 也可用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中,尤其是在低功率電動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用中,其能夠?qū)崿F(xiàn)平穩(wěn)的啟動(dòng)和控制,適用于家電、玩具等領(lǐng)域。

5. **工業(yè)自動(dòng)化**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,K4A55DA-VB 可用于驅(qū)動(dòng)各種自動(dòng)化設(shè)備,其高壓和高可靠性特性,確保設(shè)備在嚴(yán)苛環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。

K4A55DA-VB MOSFET 憑借其良好的電氣性能和適用范圍,成為高電壓和低功率應(yīng)用中重要的電子元件,能夠?yàn)槎喾N應(yīng)用提供高效和穩(wěn)定的解決方案。

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