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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K6A65DA4-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K6A65DA4-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介(K6A65DA4-VB)

K6A65DA4-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,具有650V的高擊穿電壓和7A的連續(xù)漏極電流能力。這款器件采用傳統(tǒng)的平面工藝技術(shù),能夠在10V柵極驅(qū)動電壓下實(shí)現(xiàn)1100mΩ的導(dǎo)通電阻。這種設(shè)計使其在高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色,尤其是在高效開關(guān)和功率管理方面。同時,器件支持±30V的柵極源極電壓(VGS),具備良好的開關(guān)性能和穩(wěn)定性。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: K6A65DA4-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 7A
- **技術(shù)**: 平面MOSFET工藝
- **柵極電荷 (Qg)**: 中等,適用于快速開關(guān)應(yīng)用
- **開關(guān)時間**: 快速開關(guān)時間,減少能量損耗
- **功耗**: 中等功耗,適合高效電路設(shè)計

### 適用領(lǐng)域和模塊

1. **開關(guān)電源(SMPS)**  
  K6A65DA4-VB 常用于開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計中,特別是在中小功率范圍內(nèi)的AC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-DC變換器。這類應(yīng)用需要在高電壓下實(shí)現(xiàn)高效的開關(guān)操作,該器件憑借其650V的高擊穿電壓和良好的開關(guān)性能,能夠有效降低損耗,提升轉(zhuǎn)換效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動器**  
  在電機(jī)控制領(lǐng)域,特別是工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動器中,K6A65DA4-VB 被用于高壓逆變器電路中。這款MOSFET能夠承受較高的電壓,同時提供穩(wěn)定的電流輸出,適合各種中小功率的電機(jī)控制模塊。

3. **LED驅(qū)動電源**  
  由于其高擊穿電壓和較低的導(dǎo)通電阻,K6A65DA4-VB 適用于LED驅(qū)動電源設(shè)計。其高壓能力使其能夠在輸入電壓較高的場景中驅(qū)動LED照明系統(tǒng),確保穩(wěn)定的電源輸出并減少熱損耗。

4. **逆變器和不間斷電源(UPS)**  
  在逆變器和UPS系統(tǒng)中,該MOSFET用于高壓逆變和功率轉(zhuǎn)換模塊,能夠在電力傳輸和儲能應(yīng)用中提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定運(yùn)行。

K6A65DA4-VB 適用于需要高電壓、快速開關(guān)和中等功率輸出的應(yīng)用,其可靠的性能使其成為多種電源和驅(qū)動設(shè)計中的理想選擇。

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