日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

企業(yè)號介紹

全部
  • 全部
  • 產(chǎn)品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業(yè)

微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

1.6w 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 81 粉絲

K7A45DA-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K7A45DA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### K7A45DA-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介
K7A45DA-VB 是一款高壓單N溝道MOSFET,設(shè)計用于要求高耐壓和良好導(dǎo)通性能的應(yīng)用場景。該器件采用TO220F封裝,具有650V的漏源電壓(VDS)和±30V的柵極電壓(VGS),使其在高壓環(huán)境中表現(xiàn)出色。閾值電壓(Vth)為3.5V,確保在適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動下能夠迅速導(dǎo)通。該MOSFET在VGS為10V時的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為1100mΩ,最大漏極電流(ID)為7A。由于其平面工藝(Plannar)技術(shù),K7A45DA-VB 在高效電源管理和工業(yè)控制領(lǐng)域廣受歡迎。

### K7A45DA-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**:7A
- **技術(shù)**:平面工藝 (Plannar)
- **工作溫度范圍**:-55°C ~ 150°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊舉例
1. **開關(guān)電源 (SMPS)**:K7A45DA-VB 因其高耐壓和優(yōu)良的導(dǎo)通性能,適用于開關(guān)電源設(shè)計,尤其是在高電壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,能夠提高整體系統(tǒng)的效率并降低熱損耗。

2. **電機(jī)控制**:在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動中,該MOSFET可以用作電源開關(guān),650V的高耐壓確保了電機(jī)在啟動和運行過程中的安全和穩(wěn)定性,同時7A的電流能力也滿足了大多數(shù)電機(jī)控制需求。

3. **逆變器應(yīng)用**:K7A45DA-VB 適合用于光伏逆變器和UPS系統(tǒng),能夠高效地將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高電壓和電流處理能力確保了逆變器在不間斷電源中提供穩(wěn)定的輸出。

4. **電力電子設(shè)備**:在電力電子設(shè)備中,該MOSFET可用于各種高壓開關(guān)應(yīng)用,如電磁閥控制和電源調(diào)節(jié)器,憑借其穩(wěn)定的性能,能夠提高設(shè)備的可靠性和響應(yīng)速度。

K7A45DA-VB 的設(shè)計理念和技術(shù)特性使其成為現(xiàn)代高壓應(yīng)用中不可或缺的元器件,能夠有效滿足各類電源管理和工業(yè)控制需求。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進(jìn)為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    736瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價值更高的國產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價值躍升。從參數(shù)對標(biāo)到性能飛
    613瀏覽量
永寿县| 房山区| 通化市| 荣成市| 资溪县| 达拉特旗| 张家界市| 安阳县| 许昌县| 安泽县| 邻水| 泰和县| 台北市| 松江区| 宁武县| 象山县| 浮梁县| 察雅县| 东海县| 三明市| 靖安县| 宁都县| 耒阳市| 当雄县| 黎平县| 乐至县| 郁南县| 思茅市| 德州市| 奇台县| 双柏县| 铁力市| 鸡泽县| 南木林县| 建阳市| 济源市| 镶黄旗| 南靖县| 泰州市| 滨州市| 二连浩特市|