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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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K897-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): K897-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

K897-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,具有 650V 的最大漏源電壓和 7A 的最大漏極電流。這款器件采用平面技術(shù)(Plannar),能夠在高壓應(yīng)用中提供可靠的性能。K897-VB 的設(shè)計(jì)目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)良好的開(kāi)關(guān)特性和穩(wěn)定的電氣性能,其 1100mΩ 的導(dǎo)通電阻(@ VGS=10V)使其在高電壓和高電流環(huán)境中表現(xiàn)出色。該 MOSFET 非常適合用于電力電子領(lǐng)域的各種應(yīng)用,包括高壓電源和開(kāi)關(guān)控制系統(tǒng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝類(lèi)型**:TO220F
- **極性配置**:?jiǎn)?N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ(@ VGS=10V)
- **漏極電流 (ID)**:7A
- **技術(shù)**:平面技術(shù)(Plannar)

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **高壓開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)**:K897-VB 非常適合用于高壓開(kāi)關(guān)電源中,能夠在650V的工作電壓下穩(wěn)定運(yùn)行。其低導(dǎo)通電阻可以有效降低開(kāi)關(guān)損耗,提高整體效率,滿足現(xiàn)代電源管理的需求。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電機(jī)控制系統(tǒng)中,K897-VB 可作為開(kāi)關(guān)元件,控制電機(jī)的啟停和轉(zhuǎn)速,特別適用于需要高可靠性和穩(wěn)定性的工業(yè)電機(jī)應(yīng)用。

3. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**:該 MOSFET 在電池管理系統(tǒng)中可用于高壓電池組的充放電控制,確保系統(tǒng)的安全性與效率,適合于電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源存儲(chǔ)系統(tǒng)。

4. **照明驅(qū)動(dòng)電路**:K897-VB 適用于 LED 驅(qū)動(dòng)電路,能夠在高壓下提供穩(wěn)定的電流控制,確保 LED 照明在不同工作條件下保持高亮度和一致性。其可靠性和穩(wěn)定性使其成為高性能照明解決方案的理想選擇。

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