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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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K8A45DA-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: K8A45DA-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、K8A45DA-VB 產(chǎn)品簡介

K8A45DA-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單 N 溝道功率 MOSFET,設(shè)計(jì)用于高電壓和中等電流的應(yīng)用。該器件的漏源擊穿電壓(VDS)為 650V,支持最大 ±30V 的柵極驅(qū)動電壓(VGS),開啟電壓(Vth)為 3.5V。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=10V 時(shí)為 680mΩ,額定漏極電流(ID)為 12A。K8A45DA-VB 采用了平面技術(shù)(Plannar),適合于高壓應(yīng)用,能夠有效降低開關(guān)損耗和提高系統(tǒng)效率。

### 二、K8A45DA-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO220F  
- **溝道配置**: 單 N 溝道  
- **漏源擊穿電壓 (VDS)**: 650V  
- **柵極電壓 (VGS)**: ±30V  
- **開啟電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 680mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 12A  
- **技術(shù)類型**: 平面(Plannar)  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 150°C  
- **功耗**: 在優(yōu)化的設(shè)計(jì)下具備良好的熱管理特性  
- **開關(guān)速度**: 適用于較低頻率應(yīng)用的開關(guān)性能

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例

**1. 電源轉(zhuǎn)換器**:  
K8A45DA-VB 非常適合用于各種高壓電源轉(zhuǎn)換器,能夠有效處理 650V 的高電壓輸入。它的低導(dǎo)通電阻特性有助于提高轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗,是電源管理應(yīng)用中的理想選擇。

**2. 電動汽車充電設(shè)備**:  
該 MOSFET 可以應(yīng)用于電動汽車的充電設(shè)備中,承受高達(dá) 650V 的電壓,確保在充電過程中穩(wěn)定和安全的電流傳輸,支持快速充電需求。

**3. 光伏逆變器**:  
K8A45DA-VB 適合用作光伏逆變器中的開關(guān)元件,將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。它的高耐壓能力和優(yōu)異的開關(guān)性能,使其能夠在高能量和高頻率條件下可靠工作。

**4. 工業(yè)電源控制**:  
在工業(yè)自動化設(shè)備中,該 MOSFET 可用于電源控制和負(fù)載開關(guān),確保系統(tǒng)在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定性和安全性,廣泛應(yīng)用于各類控制電路。

**5. 消費(fèi)電子產(chǎn)品**:  
K8A45DA-VB 也適用于高效電源適配器、充電器等消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源管理,提供穩(wěn)定的電流和電壓,確保設(shè)備在高負(fù)載下的正常運(yùn)行,提升用戶體驗(yàn)。

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