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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NDF08N50ZH-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: NDF08N50ZH-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、NDF08N50ZH-VB 產品簡介  
NDF08N50ZH-VB 是一款高壓單極 N 溝道功率 MOSFET,采用 **TO-220F** 封裝,專為高電壓和大電流應用設計。其 **650V 的漏源電壓(VDS)** 和 **10A 的最大漏極電流(ID)** 使其適合用于多種高壓電源和驅動電路。該器件具有 **3.5V 的開啟閾值電壓(Vth)**,確保在較低的柵源電壓下也能快速導通。MOSFET 采用 **平面工藝(Plannar Technology)**,具有良好的電氣性能和熱管理能力,能夠在惡劣環(huán)境下可靠運行。

---

### 二、詳細參數說明  
| **參數名稱**           | **參數值**                | **說明**                          |
|-----------------------|--------------------------|-----------------------------------|
| **封裝類型**            | TO-220F                  | 絕緣封裝,有效防止短路和漏電     |
| **溝道類型**            | N-Channel                | 適用于高速開關和驅動電路         |
| **漏源電壓 (VDS)**     | 650V                     | 支持高壓直流/交流系統(tǒng)            |
| **柵源電壓 (VGS)**     | ±30V                     | 高耐壓設計,確保安全驅動         |
| **開啟閾值電壓 (Vth)** | 3.5V                     | 柵極開啟所需的最小電壓           |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 830mΩ @ VGS=10V          | 導通損耗較低,提升系統(tǒng)效率       |
| **漏極電流 (ID)**      | 10A                      | 適用于中等電流應用               |
| **工藝技術**            | 平面工藝 (Plannar)       | 穩(wěn)定性高、適用于耐壓場合         |

---

### 三、適用領域及模塊應用舉例  
1. **電源轉換模塊**  
  NDF08N50ZH-VB 可用于開關電源 (SMPS) 和逆變器等電源轉換器中,通過其高壓特性和較低的導通電阻,提升轉換效率并減少熱量產生,適合在要求高效率的電源管理系統(tǒng)中使用。

2. **電機驅動控制**  
  在電機控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用作驅動高壓直流電機或步進電機的開關,具備高電流能力的同時也能處理瞬態(tài)過載情況,確保電機的高效運行。

3. **工業(yè)電氣設備**  
  NDF08N50ZH-VB 適用于工業(yè)自動化控制中作為電力開關元件,例如在機械設備的電源管理和保護電路中,提供可靠的電源切換和負載控制功能。

4. **可再生能源系統(tǒng)**  
  在太陽能逆變器和風能發(fā)電系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于高壓側開關,提升能量轉換效率,增強系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性。

5. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**  
  該器件可以用作電池組的保護開關,確保在充放電過程中電池的安全和效率,防止過壓或過流對電池造成損害。

---

**總結:** NDF08N50ZH-VB 憑借其優(yōu)越的高壓和高電流性能,廣泛應用于電力電子設備和模塊,尤其適合用于電源轉換、驅動控制和電池管理等領域,是一款可靠的高性能 MOSFET 選擇。

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