--- 產品參數 ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
- ID 10A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、NDF08N50ZH-VB 產品簡介
NDF08N50ZH-VB 是一款高壓單極 N 溝道功率 MOSFET,采用 **TO-220F** 封裝,專為高電壓和大電流應用設計。其 **650V 的漏源電壓(VDS)** 和 **10A 的最大漏極電流(ID)** 使其適合用于多種高壓電源和驅動電路。該器件具有 **3.5V 的開啟閾值電壓(Vth)**,確保在較低的柵源電壓下也能快速導通。MOSFET 采用 **平面工藝(Plannar Technology)**,具有良好的電氣性能和熱管理能力,能夠在惡劣環(huán)境下可靠運行。
---
### 二、詳細參數說明
| **參數名稱** | **參數值** | **說明** |
|-----------------------|--------------------------|-----------------------------------|
| **封裝類型** | TO-220F | 絕緣封裝,有效防止短路和漏電 |
| **溝道類型** | N-Channel | 適用于高速開關和驅動電路 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 650V | 支持高壓直流/交流系統(tǒng) |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±30V | 高耐壓設計,確保安全驅動 |
| **開啟閾值電壓 (Vth)** | 3.5V | 柵極開啟所需的最小電壓 |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 830mΩ @ VGS=10V | 導通損耗較低,提升系統(tǒng)效率 |
| **漏極電流 (ID)** | 10A | 適用于中等電流應用 |
| **工藝技術** | 平面工藝 (Plannar) | 穩(wěn)定性高、適用于耐壓場合 |
---
### 三、適用領域及模塊應用舉例
1. **電源轉換模塊**
NDF08N50ZH-VB 可用于開關電源 (SMPS) 和逆變器等電源轉換器中,通過其高壓特性和較低的導通電阻,提升轉換效率并減少熱量產生,適合在要求高效率的電源管理系統(tǒng)中使用。
2. **電機驅動控制**
在電機控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用作驅動高壓直流電機或步進電機的開關,具備高電流能力的同時也能處理瞬態(tài)過載情況,確保電機的高效運行。
3. **工業(yè)電氣設備**
NDF08N50ZH-VB 適用于工業(yè)自動化控制中作為電力開關元件,例如在機械設備的電源管理和保護電路中,提供可靠的電源切換和負載控制功能。
4. **可再生能源系統(tǒng)**
在太陽能逆變器和風能發(fā)電系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于高壓側開關,提升能量轉換效率,增強系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性。
5. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**
該器件可以用作電池組的保護開關,確保在充放電過程中電池的安全和效率,防止過壓或過流對電池造成損害。
---
**總結:** NDF08N50ZH-VB 憑借其優(yōu)越的高壓和高電流性能,廣泛應用于電力電子設備和模塊,尤其適合用于電源轉換、驅動控制和電池管理等領域,是一款可靠的高性能 MOSFET 選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12