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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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P1060ATFS-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): P1060ATFS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### P1060ATFS-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

P1060ATFS-VB 是一款高壓?jiǎn)蜰通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝。該器件的最大漏極-源極電壓 (VDS) 為 650V,適用于高壓應(yīng)用場(chǎng)合。其柵源電壓 (VGS) 范圍為 ±30V,具備良好的開(kāi)關(guān)特性,特別適合需要高電壓和高電流的場(chǎng)合。RDS(ON) 為 830mΩ@VGS=10V,確保在工作時(shí)能夠有效降低導(dǎo)通損耗。該器件采用平面技術(shù)制造,具有優(yōu)良的熱性能和可靠性,適合長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: P1060ATFS-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 830mΩ (在 VGS = 10V 時(shí))
- **最大漏極電流 (ID)**: 10A
- **技術(shù)**: 平面技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電源管理**:
  P1060ATFS-VB 可廣泛用于開(kāi)關(guān)電源中,作為主開(kāi)關(guān)器件,可以高效地轉(zhuǎn)換電壓并減少功耗,適合需要高壓和高效率的電源設(shè)計(jì)。

2. **電動(dòng)汽車(chē)**:
  在電動(dòng)汽車(chē)的電機(jī)控制器中,P1060ATFS-VB 可以用作高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)的開(kāi)關(guān)器件,確保在高電壓和大電流的情況下可靠運(yùn)行。

3. **照明控制**:
  該MOSFET適合用于高功率LED驅(qū)動(dòng)電路中,能夠有效控制LED的亮度并延長(zhǎng)LED的使用壽命。

4. **工業(yè)自動(dòng)化**:
  在工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中,P1060ATFS-VB 可以作為繼電器替代方案,適用于高壓電機(jī)的控制及保護(hù)電路。

5. **UPS(不間斷電源)**:
  由于其高耐壓能力,該器件適合用于不間斷電源系統(tǒng),提供可靠的電源保護(hù)和備份功能。

通過(guò)以上特性和應(yīng)用領(lǐng)域,P1060ATFS-VB 能夠在多種高壓、高效率的電子電路中發(fā)揮重要作用。

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