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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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PHX3N40E-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): PHX3N40E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### PHX3N40E-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

PHX3N40E-VB是一款高電壓N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,旨在滿足高效能電力管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用的需求。該器件的漏源電壓(VDS)高達(dá)650V,適合用于高壓電源和逆變器電路。其平面技術(shù)(Plannar)設(shè)計(jì)使其在高電壓下仍能保持良好的開(kāi)關(guān)性能和可靠性,適合各種工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: PHX3N40E-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: Single-N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **高壓電源**:
  - PHX3N40E-VB廣泛應(yīng)用于高壓電源模塊中,例如AC-DC電源轉(zhuǎn)換器。由于其650V的高漏源電壓,適合處理高電壓輸入的電源系統(tǒng),確保穩(wěn)定的輸出。

2. **逆變器**:
  - 在太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車(chē)逆變器中,該MOSFET可用作開(kāi)關(guān)元件,能夠在高壓和高頻率條件下有效運(yùn)行,保證電能的高效轉(zhuǎn)換和利用。

3. **電機(jī)控制**:
  - 在工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)中,PHX3N40E-VB可用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,提供可靠的開(kāi)關(guān)操作,適用于各種電動(dòng)機(jī)的啟停和調(diào)速控制。

4. **照明控制系統(tǒng)**:
  - 該器件也適用于高壓照明控制系統(tǒng),能夠控制和調(diào)節(jié)照明設(shè)備的電流,實(shí)現(xiàn)高效的照明管理。

通過(guò)上述應(yīng)用示例,可以看出PHX3N40E-VB在需要高電壓和高可靠性的電力電子設(shè)備中具有廣泛的應(yīng)用潛力,是現(xiàn)代電力系統(tǒng)中不可或缺的元件。

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