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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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PHX6NA60E-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: PHX6NA60E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介
PHX6NA60E-VB是一款高壓單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,設(shè)計(jì)用于需要高電壓和高電流處理能力的應(yīng)用。其最大漏源電壓(VDS)可達(dá)650V,適合于電壓波動(dòng)較大的環(huán)境。該器件的導(dǎo)通電阻為1100mΩ(在VGS=10V時(shí)),確保在高電流(ID=7A)條件下的有效運(yùn)行。閾值電壓(Vth)為3.5V,適合多種驅(qū)動(dòng)電壓條件,從而實(shí)現(xiàn)可靠的開關(guān)控制。這款MOSFET廣泛應(yīng)用于電源管理、逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域,是高效能電子設(shè)計(jì)的理想選擇。

### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**:PHX6NA60E-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單N溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:7A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊
PHX6NA60E-VB在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力:

1. **開關(guān)電源(SMPS)**:在高壓開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,該MOSFET可作為主開關(guān),能夠有效處理高電壓和高電流,提高轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗。

2. **電源逆變器**:在光伏發(fā)電系統(tǒng)和不間斷電源(UPS)中,PHX6NA60E-VB可作為逆變器的開關(guān)元件,支持DC到AC的高效轉(zhuǎn)換,為家庭和工業(yè)提供穩(wěn)定的電源。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在各種電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)中,該MOSFET能夠在PWM信號驅(qū)動(dòng)下提供平穩(wěn)的電流,確保高效的電動(dòng)機(jī)運(yùn)行。

4. **LED驅(qū)動(dòng)電路**:在高壓LED照明系統(tǒng)中,PHX6NA60E-VB可以有效調(diào)節(jié)電流,確保LED的長壽命和高亮度表現(xiàn)。

5. **高頻功率轉(zhuǎn)換器**:適用于高頻和高效的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如無線充電器和電源適配器中,實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)和高效能的能量傳輸。

憑借其高電壓和高電流能力,PHX6NA60E-VB是現(xiàn)代電氣工程中不可或缺的關(guān)鍵組件,為各種高效能應(yīng)用提供可靠的解決方案。

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