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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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PHX7N60E-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: PHX7N60E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

PHX7N60E-VB是一款高性能的單N通道MOSFET,采用TO220F封裝,專為650V高電壓應(yīng)用設(shè)計。其漏極-源極耐壓(VDS)達(dá)到650V,最大漏極電流(ID)為10A,適合在高壓和高功率環(huán)境中運(yùn)行。該MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為830mΩ@VGS=10V,能夠有效降低功耗并提高效率。其閾值電壓(Vth)為3.5V,使其能夠與多種控制電路兼容,非常適合用于電源管理和開關(guān)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**:PHX7N60E-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:單N通道
- **漏極-源極耐壓(VDS)**:650V
- **柵極-源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:830mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:10A
- **技術(shù)**:Plannar技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **開關(guān)電源**:
  PHX7N60E-VB非常適合用于高壓開關(guān)電源(SMPS),能夠在電源轉(zhuǎn)換過程中提供高效能和穩(wěn)定性,廣泛應(yīng)用于工業(yè)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)。

2. **電機(jī)驅(qū)動**:
  該MOSFET在電機(jī)控制應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠高效驅(qū)動高壓直流電機(jī),適用于電動車輛、家用電器和電動工具等場合,確??焖夙憫?yīng)和穩(wěn)定運(yùn)行。

3. **照明系統(tǒng)**:
  PHX7N60E-VB可用于LED照明控制電路中,為LED燈提供穩(wěn)定的電流和電壓,確保高效能和長壽命,適合用于商業(yè)和住宅照明解決方案。

4. **電壓調(diào)節(jié)器**:
  該MOSFET可用于線性穩(wěn)壓器和開關(guān)穩(wěn)壓器電路中,能夠在高電壓輸入下提供穩(wěn)定輸出,廣泛應(yīng)用于電源管理和穩(wěn)壓電路中,滿足多種應(yīng)用需求。

這些應(yīng)用展示了PHX7N60E-VB在高壓電源設(shè)計和控制系統(tǒng)中的廣泛適用性,強(qiáng)調(diào)了其在高效能和可靠性方面的優(yōu)越性能。

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