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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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QM03N65F-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): QM03N65F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### QM03N65F-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

QM03N65F-VB 是一款高電壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓和中等電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該MOSFET的最大漏源電壓(VDS)可達(dá)650V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS為10V時(shí)為2560mΩ,能夠承載高達(dá)4A的漏電流(ID)。其獨(dú)特的Plannar技術(shù)確保了在高電壓條件下的穩(wěn)定性和高效能,非常適合用于各種電力電子應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:QM03N65F-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - @VGS=10V:2560mΩ
- **最大漏電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)類型**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **高壓開(kāi)關(guān)電源**:
  - QM03N65F-VB 可廣泛應(yīng)用于高壓開(kāi)關(guān)電源中,其650V的漏源電壓適合用于AC-DC轉(zhuǎn)換和DC-DC轉(zhuǎn)換器,提升整體系統(tǒng)的功率效率。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:
  - 在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該MOSFET能夠提供高電壓和穩(wěn)定的電流,適合用于各類電動(dòng)機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路,確保電動(dòng)機(jī)的平穩(wěn)運(yùn)行。

3. **逆變器**:
  - QM03N65F-VB 適用于逆變器設(shè)計(jì),能夠?qū)⒅绷麟娹D(zhuǎn)換為交流電,廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)。

4. **電池管理系統(tǒng)**:
  - 在電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET負(fù)責(zé)高效的電流控制,確保電池充放電過(guò)程的安全和高效,特別適合于電動(dòng)汽車和儲(chǔ)能應(yīng)用。

5. **工業(yè)控制**:
  - QM03N65F-VB 可用于工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中,滿足高電壓環(huán)境下的開(kāi)關(guān)需求,提升設(shè)備的可靠性和穩(wěn)定性。

通過(guò)這些應(yīng)用,QM03N65F-VB MOSFET 能夠?yàn)楝F(xiàn)代電力電子設(shè)備和系統(tǒng)提供高效、可靠的解決方案。

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