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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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QM04N65F1-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): QM04N65F1-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:QM04N65F1-VB

QM04N65F1-VB是一款高壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高電壓和中等功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏極到源極電壓(VDS)為650V,能夠支持高達(dá)4A的漏電流(ID)。在VGS為10V時(shí),該MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為2560mΩ,確保在特定負(fù)載條件下的穩(wěn)定性能。憑借其平面技術(shù)(Plannar),QM04N65F1-VB在高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色,適合多種高效能電源管理和驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:

- **型號(hào)**:QM04N65F1-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏極到源極電壓 (VDS)**:650V
- **柵極到源極電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:

1. **開(kāi)關(guān)電源**:QM04N65F1-VB廣泛用于高壓開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中,作為主要開(kāi)關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換,適合各種電源管理解決方案。

2. **逆變器**:在光伏和風(fēng)能逆變器中,該MOSFET可作為功率開(kāi)關(guān),支持高效的能量轉(zhuǎn)換,增強(qiáng)系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性和效率。

3. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在高電壓電動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)中,QM04N65F1-VB可以作為開(kāi)關(guān),提供高效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制,確保電動(dòng)機(jī)的穩(wěn)定運(yùn)行。

4. **高壓電源管理**:適用于各種高壓電源管理系統(tǒng),QM04N65F1-VB能夠有效地控制和管理電能流動(dòng),保護(hù)系統(tǒng)不受過(guò)壓影響。

5. **工業(yè)設(shè)備**:在各類工業(yè)應(yīng)用中,該MOSFET可用于功率控制和負(fù)載管理,支持高效運(yùn)行,提升設(shè)備的可靠性與性能。

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