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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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QM08N60F-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): QM08N60F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

**QM08N60F-VB** 是一款高電壓?jiǎn)蜰溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專(zhuān)為高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏極源極電壓(VDS)高達(dá)650V,能夠承受最大10A的持續(xù)電流,適用于各種電源管理和高壓開(kāi)關(guān)電路。該MOSFET采用平面技術(shù)(Plannar),確保在高壓工作環(huán)境下的可靠性和穩(wěn)定性,適合要求高效率和高穩(wěn)定性的應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:QM08N60F-VB
- **封裝類(lèi)型**:TO220F
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **最大漏極源極電壓 (VDS)**:650V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 830mΩ @ VGS = 10V
- **最大持續(xù)電流 (ID)**:10A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

1. **高壓電源轉(zhuǎn)換**:QM08N60F-VB廣泛應(yīng)用于高壓開(kāi)關(guān)電源(SMPS),在電力轉(zhuǎn)換和管理中提供高效能,特別適用于需要高電壓輸出的場(chǎng)合,如工業(yè)設(shè)備和醫(yī)療設(shè)備。

2. **電動(dòng)汽車(chē)**:在電動(dòng)汽車(chē)的高壓電源系統(tǒng)中,該MOSFET能夠處理650V的高電壓,適合用于電池管理和充電系統(tǒng),確保高效能和安全性。

3. **照明驅(qū)動(dòng)**:適用于高功率LED照明驅(qū)動(dòng),能夠在高電壓條件下穩(wěn)定工作,確保LED燈具的可靠性和長(zhǎng)壽命,廣泛應(yīng)用于商業(yè)照明和戶(hù)外照明解決方案。

4. **家電應(yīng)用**:該MOSFET適用于家用電器中的電源管理,如空調(diào)和電熱水器,能夠有效控制電流并提升能效,降低能耗。

5. **工業(yè)自動(dòng)化**:QM08N60F-VB在工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中,能夠處理高功率開(kāi)關(guān)和控制任務(wù),確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效控制,適合用于電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路。

通過(guò)以上參數(shù)和應(yīng)用示例,QM08N60F-VB MOSFET展示了其在多種高電壓應(yīng)用中的優(yōu)越性能和廣泛適用性。

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