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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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QM10N60F-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): QM10N60F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### QM10N60F-VB 產(chǎn)品簡介

QM10N60F-VB 是一款高壓單 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓和大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其額定漏源電壓(VDS)高達(dá) 650V,適合在苛刻的工作環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。該器件的閾值電壓(Vth)為 3.5V,確保在適當(dāng)?shù)臇膨?qū)動(dòng)電壓下迅速開啟。雖然其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS 為 10V 時(shí)為 680mΩ,但 QM10N60F-VB 的高電壓和良好的熱性能,使其在各類電力和控制應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**:TO220F
- **配置**:單 N 型
- **漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 680mΩ @ VGS = 10V
- **漏電流 (ID)**:12A
- **技術(shù)**:Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **開關(guān)電源**:
  QM10N60F-VB 廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源設(shè)計(jì),能夠處理高電壓和中電流的要求,適合用于高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源適配器。

2. **照明控制**:
  該 MOSFET 在高壓照明驅(qū)動(dòng)電路中表現(xiàn)優(yōu)異,適合用于 LED 驅(qū)動(dòng)器和熒光燈控制,確保在高電壓條件下提供穩(wěn)定的電流。

3. **電動(dòng)機(jī)控制**:
  QM10N60F-VB 適用于電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),可以有效控制高電壓電機(jī)的啟動(dòng)和運(yùn)行,滿足各種工業(yè)應(yīng)用的需求。

4. **逆變器和電力電子**:
  該器件也廣泛應(yīng)用于逆變器系統(tǒng),如光伏逆變器和風(fēng)能發(fā)電系統(tǒng),能夠高效地轉(zhuǎn)換和管理電力,保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

憑借其優(yōu)良的性能和廣泛的適用性,QM10N60F-VB 是現(xiàn)代電力電子設(shè)計(jì)中不可或缺的重要組件。

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