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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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RDX045N60FU6-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): RDX045N60FU6-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
  • ID 4A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:RDX045N60FU6-VB

RDX045N60FU6-VB是一款高性能N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,具有650V的漏極源電壓(VDS)和±30V的柵源電壓(VGS)。其閾值電壓(Vth)為3.5V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為2560mΩ(在VGS=10V時(shí)),最大漏電流(ID)可達(dá)4A。該器件采用Plannar技術(shù),旨在為高壓應(yīng)用提供可靠的性能,適合用于多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: RDX045N60FU6-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單極N溝道
- **漏極源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560mΩ(在VGS=10V時(shí))
- **最大漏電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊

RDX045N60FU6-VB適用于多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,以下是一些典型示例:

1. **開關(guān)電源**: 由于其高VDS和適中的導(dǎo)通電阻,RDX045N60FU6-VB非常適合用于開關(guān)電源(如AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器),能夠?yàn)橄到y(tǒng)提供穩(wěn)定的電源和良好的效率。

2. **電機(jī)控制**: 在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,該MOSFET可以作為高效開關(guān),適用于小型電機(jī)的控制,廣泛應(yīng)用于家用電器和工業(yè)設(shè)備。

3. **照明控制**: RDX045N60FU6-VB在LED驅(qū)動(dòng)和高壓照明系統(tǒng)中表現(xiàn)出色,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的電流控制,提升照明系統(tǒng)的能效。

4. **電源管理模塊**: 該器件可以用于蓄電池管理系統(tǒng),幫助監(jiān)控和控制電壓和電流,確保電源管理的安全性和可靠性。

5. **逆變器**: 在太陽(yáng)能逆變器和其他電力轉(zhuǎn)換設(shè)備中,RDX045N60FU6-VB能夠提高電力轉(zhuǎn)換效率,滿足可再生能源的需求。

通過(guò)這些應(yīng)用,RDX045N60FU6-VB為高壓電源和開關(guān)解決方案提供了理想的性能,廣泛滿足了多個(gè)行業(yè)的需求。

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