--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO220F
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 650V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2560mΩ@VGS=10V
- ID 4A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### RJK4002DPP-M0-VB 產(chǎn)品簡介
RJK4002DPP-M0-VB 是一款高電壓 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓和低電流應(yīng)用設(shè)計。該器件支持高達 650V 的漏源電壓,最大漏電流為 4A,具有相對較高的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),使其適用于特定的功率管理和開關(guān)應(yīng)用。該器件采用 Plannar 技術(shù),確保了良好的熱管理和穩(wěn)定性,滿足高電壓環(huán)境下的可靠性需求。
### 詳細參數(shù)說明
- **型號**:RJK4002DPP-M0-VB
- **封裝**:TO220F
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏源電壓 (VDS)**:650V
- **柵源電壓 (VGS)**:±30V
- **閾值電壓 (Vth)**:3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 2560mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:4A
- **技術(shù)**:Plannar
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **高壓開關(guān)電源**:
- RJK4002DPP-M0-VB 可用于高壓開關(guān)電源(SMPS),在需要高電壓和低電流的應(yīng)用中優(yōu)化電源轉(zhuǎn)換效率。
2. **電源管理系統(tǒng)**:
- 該 MOSFET 可用于各種電源管理模塊,支持高電壓電源的開關(guān)控制,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
3. **工業(yè)設(shè)備**:
- 在工業(yè)電源和控制設(shè)備中,該器件可作為高電壓開關(guān),滿足工業(yè)應(yīng)用對高效能和高可靠性的要求。
4. **電池充放電管理**:
- RJK4002DPP-M0-VB 適合用于電池充放電管理系統(tǒng),在高電壓條件下提供安全的開關(guān)控制。
5. **高頻逆變器**:
- 在高頻逆變器中,該 MOSFET 可以有效支持高電壓的開關(guān)操作,適用于可再生能源系統(tǒng),如太陽能逆變器。
通過這些應(yīng)用實例,RJK4002DPP-M0-VB 展示出其在特定高電壓領(lǐng)域的廣泛適用性和高效能,是現(xiàn)代高電壓電子設(shè)計中不可或缺的重要元件。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12