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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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RJK60S2DPP-E0-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: RJK60S2DPP-E0-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 680mΩ@VGS=10V
  • ID 12A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### RJK60S2DPP-E0-VB 產(chǎn)品簡介

RJK60S2DPP-E0-VB 是一款高壓 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 的漏極源電壓(VDS)可達到 650V,能夠在 ±30V 的柵極源電壓(VGS)下穩(wěn)定工作。其柵閾值電壓(Vth)為 3.5V,確保了有效的開關(guān)控制。導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在 VGS=10V 時為 680mΩ,漏極電流(ID)可達到 12A。RJK60S2DPP-E0-VB 采用 Plannar 技術(shù),提供可靠的性能,適合在高溫和高壓環(huán)境中使用。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: RJK60S2DPP-E0-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單 N 通道
- **漏極源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 680mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 12A
- **技術(shù)**: Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

RJK60S2DPP-E0-VB MOSFET 適用于多個領(lǐng)域和模塊,包括:

1. **電源轉(zhuǎn)換**: 在高壓開關(guān)電源(SMPS)中,該 MOSFET 用于高效的開關(guān)控制,適合于工業(yè)和通信設(shè)備的電源系統(tǒng)。
2. **逆變器**: 在光伏和風(fēng)能逆變器中,可以用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,滿足高壓要求。
3. **電機驅(qū)動**: 在電動機驅(qū)動應(yīng)用中,適用于控制小型電機,廣泛應(yīng)用于家電和自動化設(shè)備中。
4. **汽車電子**: 在電動和混合動力汽車中,作為電源管理系統(tǒng)的重要組成部分,提高能效和系統(tǒng)可靠性。
5. **LED照明**: 在LED驅(qū)動電路中,能夠?qū)崿F(xiàn)高效的驅(qū)動和控制,提升整體能效并降低能耗。

憑借其出色的電氣性能,RJK60S2DPP-E0-VB 在高效能電力電子應(yīng)用中展現(xiàn)了強大的競爭力,是各種高壓應(yīng)用中的理想選擇。

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