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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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STK830F-VB一款TO220F封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): STK830F-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO220F
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 1100mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### **STK830F-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**

STK830F-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單 N 通道 MOSFET,采用先進(jìn)的 Plannar 技術(shù)設(shè)計(jì),具有 650V 的最大漏源電壓(VDS)和 7A 的最大漏極電流(ID),廣泛應(yīng)用于中高壓電源和開(kāi)關(guān)電路中。這款 MOSFET 的柵源電壓(VGS)最大為 ±30V,適合大多數(shù)電源控制和電池管理系統(tǒng)。STK830F-VB 的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 1100mΩ(在 VGS = 10V 下),雖然該電阻值略高,但其高電壓承受能力使其在需要大電壓耐受性和中電流承載能力的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

該型號(hào) MOSFET 適用于各種電源管理系統(tǒng)、逆變器、開(kāi)關(guān)電源和電池保護(hù)模塊,尤其是在高電壓應(yīng)用場(chǎng)景中,能夠提供可靠的性能。它的低柵源電壓閾值和良好的開(kāi)關(guān)特性使其適合用于高效率電源模塊,尤其在工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。

---

### **產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明**

| **參數(shù)**                  | **值**                              | **說(shuō)明**                                                                     |
|---------------------------|-------------------------------------|-----------------------------------------------------------------------------|
| **封裝類(lèi)型**               | TO220F                              | TO220F 封裝,具有良好的散熱性能和適用于高電壓的電源應(yīng)用。                     |
| **配置**                  | 單 N 通道                            | 單 N 通道配置,適用于電源管理和負(fù)載控制電路,提供高效的開(kāi)關(guān)性能。              |
| **漏源電壓 (VDS)** | 650V                                | 最大漏源電壓為 650V,適用于高壓應(yīng)用,如中等電壓開(kāi)關(guān)電源、逆變器等。            |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±30V                                | 最大柵源電壓為 ±30V,適應(yīng)各種電源模塊和控制電路。                             |
| **開(kāi)啟電壓 (Vth)**  | 3.5V                                | 開(kāi)啟電壓為 3.5V,適用于常見(jiàn)的柵電壓驅(qū)動(dòng),能夠滿足多種電源電路設(shè)計(jì)需求。          |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 1100mΩ @ VGS = 10V      | 導(dǎo)通電阻為 1100mΩ,在高壓操作下,導(dǎo)通電阻適中,適用于中電流應(yīng)用。                |
| **最大漏極電流 (ID)**  | 7A                                  | 最大漏極電流為 7A,適合用于中功率負(fù)載和控制電路。                              |
| **技術(shù)**                  | Plannar                             | 采用 Plannar 技術(shù),優(yōu)化了導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)特性,適用于多種電源和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。       |

---

### **應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例**

1. **開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)**
  STK830F-VB 適用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS),特別是在需要較高耐壓(如 650V)的電源設(shè)計(jì)中。它的高耐壓能力使其可以處理高電壓輸入,并高效地轉(zhuǎn)換電壓,減少電源損失并提高轉(zhuǎn)換效率。STK830F-VB 能在高頻率操作下提供優(yōu)異的性能,適合用于家電電源、計(jì)算機(jī)電源、工業(yè)電源等設(shè)備。

2. **逆變器**
  在太陽(yáng)能逆變器和其他類(lèi)型的電力逆變器中,STK830F-VB 被廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載控制。由于其高耐壓能力(650V),它能夠在逆變器系統(tǒng)中高效開(kāi)關(guān) DC 電壓到 AC 電壓,并且能夠承受高電壓和電流。它的低柵源電壓閾值和良好的導(dǎo)通特性,使其在高壓輸入的逆變器設(shè)計(jì)中表現(xiàn)優(yōu)異。

3. **電池管理系統(tǒng) (BMS)**
  在電池管理系統(tǒng)(BMS)中,STK830F-VB 可以用作電池保護(hù)電路中的開(kāi)關(guān)元件。該 MOSFET 提供高壓保護(hù),并能有效控制充電和放電過(guò)程中的電流流動(dòng)。對(duì)于電動(dòng)汽車(chē)(EV)和儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用,STK830F-VB 可確保電池的安全和高效工作,降低系統(tǒng)功率損失,提高電池使用壽命。

4. **電動(dòng)工具電源**
  電動(dòng)工具電源系統(tǒng)也可以使用 STK830F-VB 作為電池電流的開(kāi)關(guān)元件,特別是在中等電壓和電流需求的電動(dòng)工具中。其 7A 的最大漏極電流能夠滿足常見(jiàn)電動(dòng)工具的功率需求,并有效地控制電流流動(dòng)。低導(dǎo)通電阻確保高效的電力傳輸,減少電池的能量損失。

5. **電池充電器**
  在電池充電器中,STK830F-VB 提供高效的開(kāi)關(guān)功能。它能夠在電池充電過(guò)程中調(diào)節(jié)電流并減少電流切換時(shí)的功率損耗,確保電池安全充電。適用于充電器模塊,尤其是針對(duì)高電壓和高電流的快速充電系統(tǒng),例如用于電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)的充電器。

6. **電源模塊和負(fù)載開(kāi)關(guān)**
  STK830F-VB 適用于各種電源模塊和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用,尤其是對(duì)于需要穩(wěn)定電壓和電流控制的中壓系統(tǒng)。其高耐壓能力和低導(dǎo)通電阻確保了高效的電源管理和負(fù)載控制。無(wú)論是工業(yè)控制系統(tǒng)、通信設(shè)備電源模塊,還是消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源管理,都能夠充分利用其優(yōu)異的電流開(kāi)關(guān)性能。

### **總結(jié)**

STK830F-VB 是一款具有 650V 耐壓的單 N 通道 MOSFET,采用 Plannar 技術(shù),適合用于高壓電源系統(tǒng)、逆變器、電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用。它具有 7A 的最大漏極電流和 1100mΩ 的導(dǎo)通電阻,提供高效的電流開(kāi)關(guān)和控制功能。由于其高電壓和中電流的承載能力,STK830F-VB 可廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電池充電器、電動(dòng)工具、電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)電源管理模塊,提升系統(tǒng)效率,減少功率損耗,并確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。

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