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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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TSM9N50CI CO-VB一款TO220F封裝N-Channel場效應晶體管

型號: TSM9N50CI CO-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220F
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 830mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 1. 產品簡介

**TSM9N50CI CO-VB** 是一款采用 **TO220F** 封裝的 **單 N 型 MOSFET**,專為高電壓應用設計。該型號的漏源電壓(VDS)為 **650V**,柵源電壓(VGS)為 **±30V**,柵極閾值電壓(Vth)為 **3.5V**。其導通電阻為 **RDS(ON) = 830mΩ @ VGS = 10V**,最大漏極電流(ID)為 **10A**,采用 **Plannar** 技術制造,具有良好的高耐壓性能和低開關損耗特性。TSM9N50CI CO-VB 被廣泛應用于電源管理、高功率轉換以及工業(yè)驅動等領域。

該 MOSFET 的高耐壓特性使其在各種電力電子系統中提供卓越的性能,尤其適用于需要較高電壓承載能力和低導通損耗的應用場景。

### 2. 詳細參數說明

- **型號**: TSM9N50CI CO-VB  
- **封裝類型**: TO220F  
- **配置**: 單 N 型 MOSFET  
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V  
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V  
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 830mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: 10A  
- **最大功率損耗**: 50W  
- **反向恢復時間**: 50ns(典型值)  
- **最大反向泄漏電流**: 1μA @ VDS = 650V  
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C  
- **技術**: Plannar  
- **最大熱阻 (Junction to Case)**: 3°C/W  
- **開關時間**: 快速開關特性,適合高速應用  
- **最大電流斜率 (di/dt)**: 150A/μs  

### 3. 適用領域和模塊舉例

**1. 電源管理和功率轉換系統**  
由于 TSM9N50CI CO-VB 的高耐壓(650V)和較低的導通電阻,它非常適合在 **AC-DC 電源適配器** 和 **DC-DC 轉換器** 中應用。在這些系統中,MOSFET 作為開關元件,有助于實現高效的功率轉換和調節(jié)電流,降低開關損耗,提高系統整體效率。

例如,在 **工業(yè)電源設備** 和 **高效電源適配器** 中,TSM9N50CI CO-VB 可以作為功率開關,承受較高的輸入電壓并高效轉換電能,滿足系統對高效電源轉換的需求。

**2. 電動機驅動和變頻器**  
在 **工業(yè)驅動** 系統中,TSM9N50CI CO-VB 可作為 **變頻器** 中的開關元件。變頻器通常要求在高電壓下運行并調節(jié)電動機的速度和扭矩。該 MOSFET 的高電壓耐受和低導通電阻特性使其在這些高電流、高電壓的場合中工作時具有較低的能量損失,并可提高系統的工作效率。

例如,在 **電動工具**、**HVAC 系統(暖通空調系統)** 和 **工業(yè)機器人** 中,TSM9N50CI CO-VB 可以用于調節(jié)電機運行,確保平穩(wěn)和高效的控制。

**3. 逆變器與可再生能源應用**  
TSM9N50CI CO-VB 由于其良好的開關特性和高電壓承受能力,非常適用于 **太陽能逆變器** 和 **風力發(fā)電系統** 等可再生能源應用。在這些應用中,MOSFET 用于直流電轉交流電(AC),并且能夠承受高電壓而不發(fā)生損耗,從而提高能源轉換的效率。

例如,在 **太陽能發(fā)電系統** 中,TSM9N50CI CO-VB 可作為太陽能逆變器的開關元件,確保高效的功率轉換和電網連接。

**4. 電池管理系統(BMS)**  
TSM9N50CI CO-VB 還適用于 **電池管理系統(BMS)**,尤其是在 **電動汽車(EV)** 和 **儲能系統** 中。該 MOSFET 可以用來管理和控制電池的充放電過程,并確保系統運行的穩(wěn)定性和高效性。

例如,在 **電動汽車電池系統** 中,TSM9N50CI CO-VB 可以精確控制電池的充電和放電過程,提供對電池的安全保護,并確保電池性能的長期穩(wěn)定。

**5. 高頻電源與通信系統**  
由于其快速開關特性,TSM9N50CI CO-VB 適用于 **高頻電源** 和 **射頻(RF)功率放大器**。在這些應用中,MOSFET 可用于高頻信號的開關和功率調節(jié),確保信號傳輸的穩(wěn)定性和低損耗。

例如,在 **射頻通信設備** 中,TSM9N50CI CO-VB 可作為開關元件,幫助有效放大信號并降低功率損耗,確保通信設備的高效工作。

### 總結

**TSM9N50CI CO-VB** 是一款具有高電壓耐受能力(650V)和低導通電阻(830mΩ @ VGS = 10V)的 **N 型 MOSFET**,非常適用于需要高電壓承載能力的應用場合。無論是用于電源管理、電動機驅動、逆變器、電池管理系統,還是射頻和高頻電源應用,該 MOSFET 都能夠提供穩(wěn)定的性能和高效的功率控制。在這些領域中,TSM9N50CI CO-VB 作為一種理想的功率開關元件,能夠有效提高系統效率、降低損耗,并增強電力電子設備的可靠性。

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