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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR012PBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR012PBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR012PBF-VB 產(chǎn)品簡介
IRFR012PBF-VB 是一款高效能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝。該 MOSFET 設(shè)計用于處理中等電壓和電流應(yīng)用,具有高達 60V 的漏源極電壓(VDS)和 ±20V 的柵源極電壓(VGS)。其門檻電壓(Vth)為 1.7V,導(dǎo)通電阻在 VGS=10V 時為 73mΩ,在 VGS=4.5V 時為 85mΩ。IRFR012PBF-VB 使用溝槽(Trench)技術(shù),提供了低導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)性能,使其適合用于需要高效率和高開關(guān)速度的電源管理和功率控制應(yīng)用。

### 二、IRFR012PBF-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝**:TO252
- **配置**:單 N 溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**:60V
- **柵源極電壓 (VGS)**:±20V
- **門檻電壓 (Vth)**:1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:85mΩ @ VGS=4.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:73mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**:18A
- **技術(shù)類型**:溝槽(Trench)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊說明
IRFR012PBF-VB 以其高效的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻,適用于多種中等電壓和電流的應(yīng)用。以下是一些主要的應(yīng)用場景:

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,IRFR012PBF-VB 可以作為開關(guān)管,處理中等電壓(最高 60V)的電源轉(zhuǎn)換任務(wù)。其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)效率有助于提高轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)的整體性能。

2. **電源管理**:在電源管理系統(tǒng)中,該 MOSFET 可以用于高效的電源開關(guān)和調(diào)節(jié)。它適合用于各種電源模塊,如計算機電源、移動設(shè)備充電器和其他電源調(diào)節(jié)器。

3. **電動工具和家電**:IRFR012PBF-VB 適用于電動工具和家電中的功率開關(guān)部分。它能處理中等電流負載,提供穩(wěn)定的開關(guān)控制,用于電動工具的電機驅(qū)動、家電的功率控制等。

4. **功率放大器**:該 MOSFET 可用于功率放大器的開關(guān)階段,能夠處理中等電壓的信號和功率放大應(yīng)用,如音頻放大器和射頻放大器。

5. **負載開關(guān)和保護電路**:IRFR012PBF-VB 也適合用于負載開關(guān)和保護電路中,例如電池保護開關(guān)和過流保護電路。其高效的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻有助于保護電路免受過電流和過壓影響。

這些應(yīng)用示例展示了 IRFR012PBF-VB 在中等電壓和電流場景中的優(yōu)異性能,使其成為高效電源管理和功率控制應(yīng)用的理想選擇。

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