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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR014A-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR014A-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR014A-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:
IRFR014A-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,基于Trench技術(shù)制造。該MOSFET具有60V的漏源極電壓(VDS)和18A的漏極電流(ID),適合處理中等電壓和電流的應(yīng)用。其閾值電壓(Vth)為1.7V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在VGS=4.5V時(shí)為85mΩ,在VGS=10V時(shí)為73mΩ。IRFR014A-VB 的低導(dǎo)通電阻和高電流能力,使其在高效能的開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,適合用于各種需要高效電源控制的場合。

### IRFR014A-VB 詳細(xì)參數(shù)說明:
- **型號(hào)**: IRFR014A-VB
- **封裝形式**: TO252
- **MOSFET配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 85mΩ@VGS=4.5V
 - 73mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 18A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**: 通常在 -55°C 至 +150°C 之間

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊:
1. **低壓開關(guān)電源**: IRFR014A-VB 的60V耐壓適合用于低壓開關(guān)電源模塊,如計(jì)算機(jī)電源、消費(fèi)電子電源和工業(yè)電源。在這些應(yīng)用中,該MOSFET 能夠有效地開關(guān)低電壓電源,提供高效的電源管理和穩(wěn)健的性能。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制**: 在電動(dòng)工具、電動(dòng)自行車和小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制系統(tǒng)中,IRFR014A-VB 能夠處理中等電流和低電壓負(fù)載。其低導(dǎo)通電阻保證了高效的電流控制和熱管理,提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的整體效率和可靠性。

3. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 該MOSFET 適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和降壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān)應(yīng)用。IRFR014A-VB 能夠在轉(zhuǎn)換器中處理高電流負(fù)載,保持較低的功率損耗和高效的能量轉(zhuǎn)換,從而提升轉(zhuǎn)換器的性能。

4. **LED驅(qū)動(dòng)器**: 在LED照明系統(tǒng)中,IRFR014A-VB 可用于控制LED的電流。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其適合用于LED驅(qū)動(dòng)器的開關(guān)操作,確保LED燈具的穩(wěn)定亮度和長壽命。

IRFR014A-VB 的低電壓和中等電流能力使其在低壓開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和LED驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,提供高效的功率控制和可靠的開關(guān)性能。

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