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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR014NTRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR014NTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
  • ID 18A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡介**  
IRFR014NTRPBF-VB 是一款高性能單N溝道MOSFET,封裝為TO252。該MOSFET 具有高達60V的漏源電壓(VDS)和18A的漏極電流(ID),適用于處理中等電壓和電流的應(yīng)用。它的柵源電壓(VGS)范圍為±20V,開啟電壓(Vth)為1.7V。IRFR014NTRPBF-VB 采用Trench技術(shù),在VGS=10V時具有73mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在VGS=4.5V時為85mΩ。該MOSFET 具有良好的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻,使其在各種中等功率應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

**詳細參數(shù)說明**  
- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:單N溝道  
- **漏源電壓(VDS)**:60V  
- **柵源電壓(VGS)**:±20V  
- **開啟電壓(Vth)**:1.7V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS=4.5V  
 - 73mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流(ID)**:18A  
- **技術(shù)**:Trench  
- **功耗**:31W  
- **最大工作溫度**:175°C

**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊**  
1. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**:IRFR014NTRPBF-VB 適用于各種DC-DC轉(zhuǎn)換器模塊。其在60V電壓下的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻能夠提供高效的電壓轉(zhuǎn)換和電流控制,適合用于高效的電源管理系統(tǒng)。

2. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET 可以用于電池保護和功率開關(guān)。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力確保了有效的電池保護和電流控制,適合用于筆記本電腦、電動汽車和移動設(shè)備等領(lǐng)域。

3. **電機驅(qū)動**:IRFR014NTRPBF-VB 也適合用于小型電機驅(qū)動應(yīng)用,如家用電器和電動工具。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻提供了穩(wěn)定的電機控制和高效的功率轉(zhuǎn)換。

4. **開關(guān)電源**:該MOSFET 可用于開關(guān)電源模塊中,特別是在中等電壓和電流的應(yīng)用中。其優(yōu)異的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻能夠提高電源的效率,保證系統(tǒng)穩(wěn)定性。

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