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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR1010E-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFR1010E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
  • ID 97A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR1010E-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介:
IRFR1010E-VB 是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,基于Trench技術(shù)制造。該MOSFET具有60V的漏源極電壓(VDS)和97A的漏極電流(ID),非常適合高電流和中等電壓的應用。其閾值電壓(Vth)為3V,導通電阻(RDS(ON))在VGS=4.5V時為12mΩ,在VGS=10V時降至4.5mΩ。IRFR1010E-VB 的低導通電阻和高電流能力使其在要求高功率密度和高效率的開關(guān)應用中表現(xiàn)出色,適合各種需要高效電流控制的應用場合。

### IRFR1010E-VB 詳細參數(shù)說明:
- **型號**: IRFR1010E-VB
- **封裝形式**: TO252
- **MOSFET配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 12mΩ@VGS=4.5V
 - 4.5mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 97A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)
- **工作溫度范圍**: 通常在 -55°C 至 +150°C 之間

### 應用領(lǐng)域和模塊:
1. **高效DC-DC轉(zhuǎn)換器**: IRFR1010E-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其非常適合用于高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器。在這些轉(zhuǎn)換器中,它能夠提供高效的開關(guān)性能和低功率損耗,從而提升轉(zhuǎn)換器的整體效率和性能。

2. **電機驅(qū)動系統(tǒng)**: 在電動汽車、電動工具和工業(yè)電機驅(qū)動系統(tǒng)中,IRFR1010E-VB 能夠處理高電流負載,并在較低的導通電阻下工作。其高電流能力和低熱損耗確保電機驅(qū)動系統(tǒng)的高效運行和可靠性。

3. **高功率開關(guān)電源**: 該MOSFET 適用于需要高功率和高電流控制的開關(guān)電源模塊。IRFR1010E-VB 能夠在高電流負載下穩(wěn)定開關(guān),有效地管理功率并降低熱量,從而提高電源的效率和穩(wěn)定性。

4. **LED驅(qū)動器**: 在高功率LED照明系統(tǒng)中,IRFR1010E-VB 可以用于驅(qū)動LED的高電流控制。其低導通電阻和高電流能力適合用于LED驅(qū)動器,以確保LED的穩(wěn)定亮度和長壽命。

IRFR1010E-VB 以其高電流處理能力和低導通電阻,廣泛應用于高效DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動系統(tǒng)、高功率開關(guān)電源和LED驅(qū)動器等領(lǐng)域,提供優(yōu)異的開關(guān)性能和高效能的電流控制。

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