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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR1010ZTRLPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR1010ZTRLPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
  • ID 97A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡介**  
IRFR1010ZTRLPBF-VB 是一款高性能、單N溝道MOSFET,封裝為TO252。該MOSFET 具有高達(dá)60V的漏源電壓(VDS)和97A的最大漏極電流(ID),專為處理高電流和中等電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。其柵源電壓(VGS)范圍為±20V,開啟電壓(Vth)為3V。IRFR1010ZTRLPBF-VB 采用Trench技術(shù),在VGS=10V時(shí)具有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為4.5mΩ,在VGS=4.5V時(shí)為12mΩ。其優(yōu)異的導(dǎo)通性能和高電流承載能力使其在各種要求高電流和高開關(guān)速度的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

**詳細(xì)參數(shù)說明**  
- **封裝類型**:TO252  
- **配置**:單N溝道  
- **漏源電壓(VDS)**:60V  
- **柵源電壓(VGS)**:±20V  
- **開啟電壓(Vth)**:3V  
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 12mΩ @ VGS=4.5V  
 - 4.5mΩ @ VGS=10V  
- **最大漏極電流(ID)**:97A  
- **技術(shù)**:Trench  
- **功耗**:85W  
- **最大工作溫度**:175°C

**應(yīng)用領(lǐng)域與模塊**  
1. **高效電源開關(guān)**:IRFR1010ZTRLPBF-VB 非常適合用于高效電源開關(guān)應(yīng)用,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源管理模塊。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其能夠在高負(fù)載條件下保持低功耗和高效率,適合用于要求高效能的電源設(shè)計(jì)。

2. **電動(dòng)汽車**:在電動(dòng)汽車中,該MOSFET 可以用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電池管理系統(tǒng)。其高電流能力和低導(dǎo)通電阻確保了電機(jī)驅(qū)動(dòng)的高效運(yùn)行和電池的穩(wěn)定管理,適合用于電動(dòng)汽車的動(dòng)力系統(tǒng)和充電管理。

3. **電源保護(hù)電路**:IRFR1010ZTRLPBF-VB 適用于電源保護(hù)電路中,如過流保護(hù)和過壓保護(hù)。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻能夠有效保護(hù)電路不受過電流和過電壓的損害,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。

4. **高功率開關(guān)應(yīng)用**:該MOSFET 還適用于高功率開關(guān)應(yīng)用,例如功率放大器和高功率負(fù)載開關(guān)。其高電流和低導(dǎo)通電阻使其能夠處理高功率的開關(guān)任務(wù),確保高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性和效率。

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