--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
- ID 15A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
IRFR110ATF-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO252,設(shè)計(jì)用于中等電壓和功率的開關(guān)應(yīng)用。它能夠承受最高 100V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。該 MOSFET 的開啟閾值電壓(Vth)為 1.8V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 114mΩ@VGS=10V,最大連續(xù)漏極電流(ID)為 15A。IRFR110ATF-VB 采用 Trench 技術(shù),提供優(yōu)良的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻,非常適合中等功率應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **封裝**: TO252
- **極性**: 單一 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **功耗 (Ptot)**: 40W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **技術(shù)**: Trench
### 適用領(lǐng)域和模塊示例
1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: IRFR110ATF-VB 的低導(dǎo)通電阻和適中的漏源電壓使其適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器模塊。它能夠在中等電壓和電流下高效地開關(guān),從而提高電源轉(zhuǎn)換效率并減少功率損失。
2. **電機(jī)控制**: 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,如步進(jìn)電機(jī)或小型無刷直流電機(jī)控制,IRFR110ATF-VB 能夠提供可靠的開關(guān)性能和控制精度。其高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻有助于提高電機(jī)控制的穩(wěn)定性和效率。
3. **負(fù)載開關(guān)**: 該 MOSFET 適合用于負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,如開關(guān)電源和自動(dòng)化控制系統(tǒng)。在這些應(yīng)用中,IRFR110ATF-VB 的低導(dǎo)通電阻可以減少功率損失,優(yōu)化負(fù)載開關(guān)的性能。
4. **電池管理系統(tǒng)**: 在便攜設(shè)備和小型電池管理系統(tǒng)中,IRFR110ATF-VB 可以用作電池保護(hù)開關(guān),控制電池的充放電過程。其優(yōu)良的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻有助于提升電池的性能和安全性。
IRFR110ATF-VB 的低導(dǎo)通電阻和中等電壓能力使其在多種中等功率應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,特別是在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制和負(fù)載開關(guān)系統(tǒng)中,能夠提供高效、可靠的開關(guān)解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛