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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR110ATF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR110ATF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRFR110ATF-VB 是一款高性能 N 溝道 MOSFET,封裝為 TO252,設(shè)計(jì)用于中等電壓和功率的開關(guān)應(yīng)用。它能夠承受最高 100V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。該 MOSFET 的開啟閾值電壓(Vth)為 1.8V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 114mΩ@VGS=10V,最大連續(xù)漏極電流(ID)為 15A。IRFR110ATF-VB 采用 Trench 技術(shù),提供優(yōu)良的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻,非常適合中等功率應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝**: TO252
- **極性**: 單一 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **功耗 (Ptot)**: 40W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **技術(shù)**: Trench

### 適用領(lǐng)域和模塊示例

1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**: IRFR110ATF-VB 的低導(dǎo)通電阻和適中的漏源電壓使其適用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器模塊。它能夠在中等電壓和電流下高效地開關(guān),從而提高電源轉(zhuǎn)換效率并減少功率損失。

2. **電機(jī)控制**: 在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,如步進(jìn)電機(jī)或小型無刷直流電機(jī)控制,IRFR110ATF-VB 能夠提供可靠的開關(guān)性能和控制精度。其高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻有助于提高電機(jī)控制的穩(wěn)定性和效率。

3. **負(fù)載開關(guān)**: 該 MOSFET 適合用于負(fù)載開關(guān)應(yīng)用,如開關(guān)電源和自動(dòng)化控制系統(tǒng)。在這些應(yīng)用中,IRFR110ATF-VB 的低導(dǎo)通電阻可以減少功率損失,優(yōu)化負(fù)載開關(guān)的性能。

4. **電池管理系統(tǒng)**: 在便攜設(shè)備和小型電池管理系統(tǒng)中,IRFR110ATF-VB 可以用作電池保護(hù)開關(guān),控制電池的充放電過程。其優(yōu)良的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻有助于提升電池的性能和安全性。

IRFR110ATF-VB 的低導(dǎo)通電阻和中等電壓能力使其在多種中等功率應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,特別是在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制和負(fù)載開關(guān)系統(tǒng)中,能夠提供高效、可靠的開關(guān)解決方案。

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