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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR110PBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR110PBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR110PBF-VB 產(chǎn)品簡介

IRFR110PBF-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為中等電壓和電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該 MOSFET 的漏源極電壓 (VDS) 高達(dá) 100V,能夠處理高達(dá) 15A 的漏極電流。它采用 Trench 技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻。在 10V 的柵源極電壓下,導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 為 114mΩ。IRFR110PBF-VB 的開啟電壓 (Vth) 為 1.8V,確保在較低的柵極電壓下也能穩(wěn)定開啟,適合各種中等功率開關(guān)和控制應(yīng)用。

### 二、IRFR110PBF-VB 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252  
- **配置**: 單 N 溝道 (Single-N-Channel)  
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V  
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V  
- **開啟電壓 (Vth)**: 1.8V  
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ @ VGS=10V  
- **漏極電流 (ID)**: 15A  
- **技術(shù)類型**: Trench  
- **功耗**: 由于低導(dǎo)通電阻,該 MOSFET 在實(shí)際應(yīng)用中能夠提供較低的功耗,幫助提高系統(tǒng)效率。

### 三、IRFR110PBF-VB 適用領(lǐng)域和模塊示例

1. **電機(jī)驅(qū)動**
  IRFR110PBF-VB 在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中表現(xiàn)出色,尤其是在中等電壓電機(jī)控制系統(tǒng)中。其 100V 的漏源極電壓和 15A 的漏極電流處理能力,適用于控制電動汽車、電動工具和其他電機(jī)驅(qū)動設(shè)備的開關(guān)。低導(dǎo)通電阻能夠有效提高電機(jī)驅(qū)動的效率和響應(yīng)速度。

2. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**
  在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中,IRFR110PBF-VB 可以作為高效的開關(guān)元件,處理中等電壓和電流負(fù)載。它適用于各種電源管理和電力轉(zhuǎn)換模塊,能夠提供穩(wěn)定的開關(guān)性能,優(yōu)化系統(tǒng)的能量轉(zhuǎn)換效率。

3. **開關(guān)電源**
  IRFR110PBF-VB 也適合用于開關(guān)電源應(yīng)用,如電源適配器和電源模塊。其較低的導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,使其能夠高效地處理電源開關(guān),從而提高開關(guān)電源的整體性能和穩(wěn)定性。

4. **低功耗控制電路**
  在低功耗控制電路中,如LED驅(qū)動電路和低功率開關(guān)電路,IRFR110PBF-VB 能夠提供高效的開關(guān)性能。其低導(dǎo)通電阻和低開啟電壓使其適合用于這些要求高效能量管理和開關(guān)性能的應(yīng)用中。

IRFR110PBF-VB 的低導(dǎo)通電阻和適中的電壓處理能力,使其在各種中等功率和開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠?yàn)椴煌碾娮酉到y(tǒng)提供穩(wěn)定和高效的開關(guān)解決方案。

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