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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR120NCPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFR120NCPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 114mΩ@VGS=10V
  • ID 15A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### IRFR120NCPBF-VB MOSFET 產品簡介:
IRFR120NCPBF-VB 是一款單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,基于先進的Trench技術設計,適用于要求中等電壓和電流控制的應用。該MOSFET的漏源極電壓(VDS)為100V,漏極電流(ID)為15A,柵源極電壓(VGS)為±20V,閾值電壓(Vth)為1.8V。在VGS=10V的條件下,導通電阻(RDS(ON))為114mΩ。憑借低導通電阻和較高的電流能力,IRFR120NCPBF-VB 能夠有效地降低功率損耗,提高能效,是中等功率應用的理想選擇。

### IRFR120NCPBF-VB 詳細參數說明:
- **型號**: IRFR120NCPBF-VB
- **封裝形式**: TO252
- **MOSFET配置**: 單N溝道(Single-N-Channel)
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 114mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術**: Trench技術
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C(典型)

### 應用領域和模塊:
1. **DC-DC轉換器**: IRFR120NCPBF-VB 的100V耐壓和較低的導通電阻使其非常適合用于中等功率的DC-DC轉換器中。在這些應用中,該MOSFET可通過高效的開關操作,減少導通損耗并提升系統(tǒng)的整體效率,特別適用于需要中高壓的場合。

2. **電源管理模塊**: 在電源管理應用中,例如UPS(不間斷電源)、電池管理系統(tǒng)(BMS)和工業(yè)電源模塊,該MOSFET可以處理15A的電流,提供高效的電源切換和管理功能,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。

3. **工業(yè)控制電路**: IRFR120NCPBF-VB 的堅固設計和高電壓特性使其能夠應用于工業(yè)控制電路中,如電機驅動和自動化設備。這些系統(tǒng)常常需要快速開關和高效電流處理能力,以實現精確的控制和較長的工作壽命。

4. **LED驅動器和照明系統(tǒng)**: 在LED照明系統(tǒng)中,IRFR120NCPBF-VB 可用于驅動高電壓的LED光源。它能夠在較高的電壓下提供穩(wěn)定的電流控制,從而確保LED的亮度和壽命。

IRFR120NCPBF-VB 以其高效的電流處理能力和較低的導通電阻,適用于電源管理、DC-DC轉換、工業(yè)控制以及LED驅動器等領域,是中等功率應用中實現高效能和可靠性的理想選擇。

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