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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRFR210TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: IRFR210TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 850mΩ@VGS=10V
  • ID 5A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### IRFR210TRPBF-VB 產(chǎn)品簡介
IRFR210TRPBF-VB 是一款高性能的單通道N型MOSFET,封裝類型為TO252。這款MOSFET設計用于處理中等電壓和功率應用,其漏源電壓(VDS)最大可達200V,柵源電壓(VGS)最大為±20V。閾值電壓為3V,導通電阻(RDS(ON))在VGS=10V時為850mΩ,能夠提供最大5A的連續(xù)漏極電流。采用Trench(溝槽型)技術,IRFR210TRPBF-VB 提供穩(wěn)定的開關性能和良好的電流處理能力,適用于各種功率開關應用。

### IRFR210TRPBF-VB 詳細參數(shù)說明
- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單通道N型MOSFET
- **漏源電壓(VDS)**:200V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:3V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 850mΩ(在VGS=10V時)
- **連續(xù)漏極電流(ID)**:5A
- **技術**:Trench(溝槽型)
- **最大功耗**:取決于散熱設計和工作環(huán)境
- **熱阻**:具體取決于封裝和散熱配置

### 適用領域與模塊
IRFR210TRPBF-VB 的特性使其適合用于多個領域和模塊,具體應用如下:

1. **電源開關**:在電源開關應用中,IRFR210TRPBF-VB 可以用于電源管理和開關控制,其200V的耐壓和5A的電流能力使其能夠處理中等功率負載,適合用于電源模塊和開關電源設計。

2. **功率轉換**:作為功率轉換器中的開關元件,這款MOSFET 的Trench技術和較低的導通電阻使其在功率轉換應用中表現(xiàn)穩(wěn)定。適用于DC-DC轉換器和其他需要高效能的功率轉換電路。

3. **負載開關**:在負載開關應用中,IRFR210TRPBF-VB 能夠高效地切換各種負載,特別是在需要中等電流處理能力的情況下。適用于工業(yè)控制系統(tǒng)和家用電器中的負載開關控制。

4. **電池保護**:該MOSFET 可以用于電池保護電路中,幫助管理電池的充放電過程。其較高的耐壓和穩(wěn)定的開關性能使其能夠有效地保護電池免受過流或過壓損害。

5. **低功率逆變器**:在低功率逆變器應用中,IRFR210TRPBF-VB 的高耐壓和穩(wěn)定的導通性能使其成為理想選擇。能夠處理中等功率的電力轉換任務,如小型太陽能逆變器或風力發(fā)電系統(tǒng)中的逆變器設計。

IRFR210TRPBF-VB 的設計和性能使其在電源開關、功率轉換、負載開關、電池保護和低功率逆變器等應用中表現(xiàn)優(yōu)異,能夠滿足多種功率和電流處理需求。

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