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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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IRFR220TRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): IRFR220TRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 200V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 245mΩ@VGS=10V
  • ID 10A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

IRFR220TRPBF-VB 是一款高耐壓 N 溝道 MOSFET,采用 TO252 封裝,設(shè)計(jì)用于中高電壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用。它具有最高 200V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。該 MOSFET 的開(kāi)啟閾值電壓(Vth)為 3V,導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為 245mΩ@VGS=10V,最大漏極電流(ID)為 10A。IRFR220TRPBF-VB 采用 Trench 技術(shù),提供高效的開(kāi)關(guān)性能和穩(wěn)定的電壓耐受能力,適合用于各種需要高電壓和中等電流的應(yīng)用場(chǎng)景。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **封裝**: TO252
- **極性**: 單一 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 200V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開(kāi)啟閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 245mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 10A
- **功耗 (Ptot)**: 40W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **開(kāi)關(guān)電源**: IRFR220TRPBF-VB 的高漏源電壓和低導(dǎo)通電阻使其非常適合用于中高電壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用,如電源適配器和工業(yè)電源。這款 MOSFET 能夠在高電壓條件下提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能,支持高效的電源轉(zhuǎn)換和管理。

2. **功率轉(zhuǎn)換模塊**: 在功率轉(zhuǎn)換模塊中,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,IRFR220TRPBF-VB 的高電壓耐受能力和優(yōu)良的導(dǎo)通性能使其能夠有效處理高電壓輸入和輸出。它在這些模塊中可以確保穩(wěn)定的電壓轉(zhuǎn)換和系統(tǒng)的可靠性。

3. **電機(jī)控制**: 該 MOSFET 也適用于中高電壓的電機(jī)控制應(yīng)用,如電動(dòng)工具和高壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。它的高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻能夠提供高效的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和精確的控制,確保電機(jī)系統(tǒng)的高性能和耐用性。

4. **高壓保護(hù)電路**: 在需要保護(hù)高壓電路的應(yīng)用中,如電池管理系統(tǒng)或電池保護(hù)電路,IRFR220TRPBF-VB 的高耐壓特性和穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能使其能夠有效保護(hù)電路免受過(guò)電壓和短路損害。

IRFR220TRPBF-VB 通過(guò)其高電壓耐受能力和優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能,為開(kāi)關(guān)電源、功率轉(zhuǎn)換模塊、電機(jī)控制和高壓保護(hù)電路等應(yīng)用提供可靠的解決方案,滿足各種中高電壓應(yīng)用的需求。

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