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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR3412PBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR3412PBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 18mΩ@VGS=10V
  • ID 45A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 一、IRFR3412PBF-VB 產(chǎn)品簡介

IRFR3412PBF-VB 是一款高性能N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù),封裝在TO252外殼中。它的最大漏源電壓(VDS)為100V,設(shè)計用于中等電壓開關(guān)應(yīng)用。該MOSFET的開啟電壓(Vth)為1.8V,具有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為18mΩ,在10V的柵源電壓下。其漏極電流(ID)最高可達45A,適合用于高電流和高效率的電源管理應(yīng)用。IRFR3412PBF-VB 在電源開關(guān)、電機驅(qū)動和電力轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。

### 二、IRFR3412PBF-VB 詳細參數(shù)說明

- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單一N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **開啟電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 
 - 18mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 45A
- **最大功耗 (Ptot)**: 94W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 175°C
- **輸入電容 (Ciss)**: 4000pF
- **輸出電容 (Coss)**: 600pF
- **反向傳輸電容 (Crss)**: 40pF
- **開關(guān)時間**: 適用于中高頻率開關(guān)應(yīng)用
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

IRFR3412PBF-VB 的高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使其在多個領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用:

1. **電源開關(guān)**:
  IRFR3412PBF-VB 由于其100V的漏源電壓和低導(dǎo)通電阻,非常適合用于高效率的電源開關(guān)應(yīng)用。例如,在DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源中,它可以作為主要的開關(guān)元件,處理電流的開關(guān)操作,提高系統(tǒng)的能效和穩(wěn)定性。

2. **電機驅(qū)動**:
  在電機驅(qū)動系統(tǒng)中,IRFR3412PBF-VB 可以用作電機控制開關(guān),提供高電流承載能力和低開關(guān)損耗。這使得它適用于電機驅(qū)動的啟動和調(diào)速,確保電機平穩(wěn)運行并提高效率。

3. **功率轉(zhuǎn)換器**:
  該MOSFET 也廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換器,例如逆變器和電源適配器。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其能夠處理大功率的電流和電壓轉(zhuǎn)換,提高功率轉(zhuǎn)換的效率和可靠性。

4. **LED驅(qū)動**:
  在LED驅(qū)動電路中,IRFR3412PBF-VB 可以作為開關(guān)元件,控制LED的電流和亮度。高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其能夠有效驅(qū)動高功率LED,提供穩(wěn)定的亮度和長壽命。

5. **家用電器**:
  在家用電器中,如電源模塊和控制系統(tǒng),IRFR3412PBF-VB 能夠處理高電流負(fù)載,并提供高效的開關(guān)操作。這包括用于電力轉(zhuǎn)換的電源模塊、電機控制和其他需要高電流開關(guān)的應(yīng)用。

總之,IRFR3412PBF-VB 的低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力和寬工作溫度范圍使其在電源開關(guān)、電機驅(qū)動、功率轉(zhuǎn)換、LED驅(qū)動和家用電器等多個領(lǐng)域中表現(xiàn)出色,適合各種中等電壓和高電流的開關(guān)應(yīng)用。

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