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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR3715ZCTRPBF-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: IRFR3715ZCTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 20V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 0.5~1.5V
  • RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=4.5V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**IRFR3715ZCTRPBF-VB** 是一款高性能N溝道MOSFET,封裝為TO252,專為低電壓高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其最大漏源電壓(VDS)為20V,柵源電壓(VGS)為±20V。該MOSFET 的開閥電壓(Vth)范圍為0.5V到1.5V,采用Trench技術(shù),具備極低的導(dǎo)通電阻,其中VGS=2.5V時(shí)為6mΩ,VGS=4.5V時(shí)為4.5mΩ。它支持高達(dá)100A的漏極電流,提供出色的功率效率和可靠性。該MOSFET 適用于對低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力有嚴(yán)格要求的電路設(shè)計(jì)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **封裝類型**:TO252
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:20V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟電壓(Vth)**:0.5V ~ 1.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=2.5V
 - 4.5mΩ @ VGS=4.5V
- **最大漏極電流(ID)**:100A
- **技術(shù)**:Trench
- **功耗**:未知,通常取決于散熱條件
- **最大工作溫度**:175°C

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊

1. **高效電源管理**:
  IRFR3715ZCTRPBF-VB 的極低RDS(ON) 和高電流處理能力使其非常適合用于高效電源管理應(yīng)用,如DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源分配模塊。在這些應(yīng)用中,MOSFET 的低導(dǎo)通電阻幫助減少功耗和發(fā)熱,從而提高電源的效率和穩(wěn)定性。

2. **電動(dòng)汽車與電動(dòng)工具**:
  在電動(dòng)汽車或電動(dòng)工具中,IRFR3715ZCTRPBF-VB 能夠處理高電流負(fù)載,其低導(dǎo)通電阻確保高效的功率傳輸和系統(tǒng)的高性能。在這些高電流應(yīng)用中,這種MOSFET 的低RDS(ON) 性能特別重要,有助于優(yōu)化能源利用率。

3. **高電流開關(guān)**:
  IRFR3715ZCTRPBF-VB 也適用于需要高電流開關(guān)的電路,如電池管理系統(tǒng)中的開關(guān)或高功率開關(guān)電路。在這些應(yīng)用中,MOSFET 的高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻確保了開關(guān)操作的可靠性和高效能。

4. **過壓保護(hù)和電源保護(hù)**:
  在過壓保護(hù)電路中,IRFR3715ZCTRPBF-VB 可以作為高效的過壓保護(hù)開關(guān),快速響應(yīng)電壓變化以保護(hù)電路。其高電流處理能力和低RDS(ON) 確保了電路的可靠保護(hù),防止損壞。

IRFR3715ZCTRPBF-VB 是一款針對高電流、低電壓應(yīng)用優(yōu)化的MOSFET,能夠提供極低的導(dǎo)通電阻和高效能表現(xiàn),特別適合電源管理、電動(dòng)驅(qū)動(dòng)、高電流開關(guān)和過壓保護(hù)等應(yīng)用。

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